高度掺杂铁的A3B5半导体形成特征与性质研究

摘要： 通过脉冲激光沉积法生长过程中高度掺杂铁的InAs、InSb和GaSb半导体层进行了实验研究。在GaAs(100)衬底上形成各层的最佳温度为：250°C（InSb:Fe）、300°C（InAs:Fe）和350°C（GaSb:Fe）。当铁浓度较高（超过10 at%）时，这些层展现出铁磁特性，表现为霍尔电阻的磁场依赖性中出现滞后曲线、负磁阻效应，以及在某些情况下室温测量时呈现铁磁型磁化强度。铁原子不改变层的导电类型；InAs:Fe和InSb:Fe层具有n型导电性，而GaSb:Fe层由于本征点缺陷而呈现p型导电性。