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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 多步与单步原位微波退火作为溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜的低热预算技术

    摘要： 本研究探究了溶液法制备的铟镓锌氧化物（IGZO）薄膜的低热预算原位微波退火工艺，作为传统高热预算退火工艺的潜在替代方案。采用同一套微波设备连续完成溶液法IGZO薄膜的低温预烘和高温后沉积退火，从而缩短了热处理时长并降低了温度。通过对比单步/多步原位微波退火与常规退火工艺制备的IGZO薄膜晶体管（TFT）电学特性，发现单步微波退火法制备的TFT电学性能优于多步及常规退火工艺产品。此外，正/负栅极偏压应力测试表明，该热处理方法制备的IGZO TFT器件可靠性更优。通过X射线光电子能谱分析研究了热处理对IGZO薄膜成分及能带结构的影响，证实原位微波退火工艺在溶液法制备过程中比传统方法更具优势。

    关键词： 低热预算，铟镓锌氧化物，微波，溶液法

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 光刻胶钝化对InGaZnO薄膜晶体管影响的X射线光电子能谱分析

    摘要： 采用EOC光刻胶（PR）钝化的底栅型InGaZnO（IGZO）薄膜晶体管（TFT）被成功制备。与未钝化器件相比（迁移率6.71 cm2V?1s?1、迟滞电压2.42 V且偏置应力稳定性较差），PR钝化后的IGZO TFT展现出更优异的电学特性：迁移率提升至8.85 cm2V?1s?1，迟滞电压降至0.06 V，在正栅极偏压应力（PBS）下具有更可靠的稳定性（阈值电压漂移△Vth=0.36 V）。通过系统性的X射线光电子能谱（XPS）分析了PR钝化对IGZO-TFT性能的影响。O 1s核心能级的XPS谱图结果表明，PR钝化有效抑制了IGZO表面的吸附/解吸效应，减少了不稳定态数量并提高了电学稳定性。此外，XPS深度剖析实验显示钝化后薄膜表面元素比例发生变化，IGZO表面呈现富铟特性从而增强了迁移率。该低温（100℃）工艺制备的PR钝化层兼具优良介电品质和出色的水氧阻隔能力，有望成为未来高迁移率、高稳定性柔性TFT的理想选择。

    关键词： XPS（X射线光电子能谱）、InGaZnO（铟镓锌氧化物）、光刻胶、薄膜晶体管、吸附/脱附

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019年6月23日-2019年6月27日）] 2019年欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 光纤激光驱动的50毫瓦平均功率气体等离子体太赫兹产生技术

    摘要： 首次评估了具有IGZO电荷存储层的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管非易失性存储器件在多级单元存储应用中的性能。原始器件定义为初始状态（OS），经正栅极电压脉冲（如12V持续10ms）可切换至编程状态（PS），经负栅极电压脉冲（如-15V持续10ms）可切换至擦除状态（ES）。写入机制归因于正栅极偏压下电子从沟道向电荷存储层的福勒-诺德海姆隧穿效应，以及负栅极偏压下的反向隧穿效应。该器件展现出优异的电学可编程与擦除特性：经历100次编程/擦除循环后，OS与PS间仍保持2.4V存储窗口，OS与ES间亦维持2.66V存储窗口；在10^5秒保持时间内，相对于OS的存储窗口分别为PS的1.91V和ES的1.30V。

    关键词： 非易失性存储器、薄膜晶体管、多层单元、铟镓锌氧化物

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019.6.23-2019.6.27）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 基于手征耦合芯光纤的单片放大器

    摘要： 首次评估了具有IGZO电荷存储层的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管非易失性存储器件的多级单元存储应用性能。原始器件定义为初始态（OS），经正栅极电压脉冲（如12V持续10ms）可切换至编程态（PS），经负栅极电压脉冲（如-15V持续10ms）可切换至擦除态（ES）。写入机制归因于正栅偏压下电子从沟道向电荷存储层的福勒-诺德海姆隧穿效应，以及负栅偏压下的反向隧穿效应。该器件展现出优异的电学可编程与擦除特性：经历100次编程/擦除循环后，OS与PS间仍保持2.4V存储窗口，OS与ES间亦维持2.66V存储窗口；在10^5秒保持时间内，相对于OS的存储窗口分别为PS的1.91V和ES的1.30V。

    关键词： 薄膜晶体管，铟镓锌氧化物，非易失性存储器，多级单元

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 低压柔性InGaZnO薄膜晶体管，采用溶液法制备的超薄AlxOy栅极

    摘要： 在塑料基板上制备了以溶液法加工的超薄AlxOy为栅极的氧化铟镓锌薄膜晶体管（TFT）。研究了弯曲对栅介质漏电流密度和电容密度的影响。该器件具有低于1V的低工作电压、高于10^5的高开关电流比以及小于90mV/dec的低亚阈值摆幅。即使弯曲至11mm曲率半径时，器件仍能保持高性能。因此，此类器件在低功耗柔性电子领域具有重要应用潜力。

    关键词： 1V操作、薄膜晶体管（TFT）、塑料基板、铟镓锌氧化物

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过PCBM中间层增强钙钛矿-InGaZnO光电晶体管的探测率并抑制暗电流

    摘要： 基于InGaZnO（IGZO）金属氧化物薄膜晶体管（TFT）与钙钛矿（MAPbI3）等光吸收覆盖层构建的混合光电晶体管，是开发先进X射线和紫外平板成像仪的极具前景的低成本器件。然而研究发现，MAPbI3的引入会在制备过程中不可避免地损伤IGZO沟道层，导致TFT特性恶化（如关态电流上升和阈值电压漂移）。本文报道通过在图案化MAPbI3与IGZO之间插入PCBM或PCBM:PMMA中间层来提升钙钛矿-IGZO光电晶体管性能的有效方法。该中间层能有效防止钙钛矿制备工艺对IGZO的损伤，同时确保高效的光电荷转移。采用此结构，我们实现了具有高探测率（1.35×1012琼斯）的钙钛矿-IGZO光电晶体管，在暗态下关态漏电流被抑制至约10皮安。本研究指出了界面工程对于实现高性能可靠异质结光电晶体管的重要性。

    关键词： IGZO（铟镓锌氧化物）、中间层、光电晶体管、钙钛矿、光电探测器

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 具有纳米级相分离绝缘层的氧化物-聚合物异质结二极管

    摘要： 有机半导体-绝缘体共混薄膜因其独特的相分离和自组装现象，在关键器件界面处展现出高性能电子器件的广泛应用前景。本研究首次报道了基于p型聚(3-己基噻吩)(P3HT)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)共混物与n型铟镓锌氧化物(IGZO)形成的p-n结高性能混合二极管。我们系统分析了不同PMMA含量的P3HT薄膜的薄膜形貌、微观结构及垂直相分离行为。微观结构与电荷传输评估表明，聚合物绝缘组分对P3HT薄膜的形貌、分子取向及有效共轭长度产生积极影响，从而提升异质结性能。此外，数据表明PMMA相分离在P3HT与IGZO层间形成了连续的纳米级中间层，这对增强二极管性能具有重要作用。因此，基于最优P3HT-PMMA共混物的二极管展现出正向电流较纯P3HT二极管显著提升10倍，理想因子低至2.5，同时具有适中的有效势垒高度和优异整流比。这些结果为低成本、大面积有机电子技术的简化制造提供了新途径。

    关键词： 有效势垒高度、理想因子、IGZO（铟镓锌氧化物）、P3HT（聚3-己基噻吩）、混合二极管、有机半导体/绝缘体共混物

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 8.1: <i>特邀论文：</i> 增强型高架金属氧化物薄膜晶体管技术

    摘要： 现报道一种采用退火诱导源/漏区的增强型高架金属氧化物（EMMO）薄膜晶体管（TFT）架构，从而进一步扩大了EMMO相对于传统TFT架构的优势。该改进包括：三掩模工艺使掩模数量减少，从而降低制造成本；底栅自对准工艺使寄生重叠电容减小，从而降低信号延迟；以及300摄氏度工艺，较低的温度使其与更广泛的柔性衬底具有更好的兼容性。

    关键词： 退火诱导源漏极、自对准、高置金属氧化物、柔性衬底、铟镓锌氧化物、掩模数、薄膜晶体管

    更新于2025-09-04 15:30:14