电子轰击导致的银反射电极晶粒生长对III族氮化物微发光二极管阵列外量子效率的影响

摘要： 为提高倒装焊InGaN/GaN多量子阱微发光二极管（μ-LED）阵列的效率，研究了电子束辐照（EBI）对银反射器的影响。经EBI处理后，小尺寸晶粒发生扩散并逐渐形成大晶粒，从而减少晶界数量，提升银反射器的晶体质量和反射率。多种材料表征结果一致显示：随着EBI时间延长，银反射器的晶粒尺寸持续增大。5分钟EBI处理的银反射器在450nm波长处反射率（约91%）显著高于未处理样品（约84%）。最终制备了无EBI和经EBI处理的银反射器μ-LED阵列。除光学性能外，EBI处理未改变正向偏压特性。在驱动电流下，经EBI处理的银反射器μ-LED相比未处理样品具有更高的光输出功率、电致发光强度及芯片区域的电致发光均匀性。通常光提取效率的提升会导致μ-LED外量子效率增加。这些光电性能增强现象通过微观与宏观表征得到了一致验证。