利用X射线光电子能谱研究CoGe表面氧化

摘要： 钴锗化物作为半导体接触材料已被广泛研究，但最新理论研究表明，它们也可能是甲烷蒸汽重整反应的优异催化剂，其稳定性和活性可与更昂贵的贵金属催化剂相媲美。我们通过溅射沉积制备了CoGe合金薄膜，并在高真空环境下对其进行高达1000°C的退火处理后表征其结构与形貌。采用X射线光电子能谱研究了非晶态和晶态CoGe合金表面在低压O?和H?O环境下的初始氧化行为。发现非晶态CoGe表面在O?中的氧化速率快于晶态表面，而两种表面在H?O中的氧化速率差异甚微。O?氧化过程中，晶态表面优先形成GeO，非晶态表面则优先形成GeO?。我们还观察到CoGe薄膜中Ge元素存在优先氧化现象。温度程序脱附研究表明，GeO脱附始于约350°C，而GeO?在约700°C分解为GeO并脱附。尽管需要进一步研究CoGe催化剂的性能，但在氧化性反应环境中，GeO脱附可能成为薄膜材料的潜在问题。