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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 锗基SrZr<sub>x</sub>Ti<sub>1?x</sub>O<sub>3</sub>薄膜的界面结构

    摘要： 通过同步辐射X射线衍射和第一性原理密度泛函理论，研究了生长在半导体Ge衬底上的SrZrxTi1?xO3薄膜的界面结构。通过系统调节Zr含量x，可以区分界面键合和外延应变对薄膜物理结构的影响。研究发现，由于阳离子-阴离子沿垂直于钙钛矿/半导体界面的方向发生离子位移，界面钙钛矿层呈现极化现象。我们观察到SrZrxTi1?xO3/Ge界面的起伏与价带偏移存在关联。理论计算中极性结构的价带偏移随Zr含量的变化趋势与已报道的X射线光电子能谱测量结果一致。这些发现对于功能氧化物材料与成熟半导体技术的集成具有重要指导意义。

    关键词： 同步辐射X射线衍射、密度泛函理论、价带偏移、SrZrxTi1?xO3薄膜、锗衬底、界面结构

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 真空蒸发法在Ge(100)衬底上生长BaSi?薄膜及其光电响应特性

    摘要： 我们通过蒸发法成功在Ge(100)衬底上生长出多晶正交相BaSi2薄膜。在BaSi2蒸发前先在Ge衬底上沉积非晶硅(a-Si)薄膜对获得高质量BaSi2薄膜起着关键作用。通过控制衬底温度和a-Si薄膜厚度，在Ge衬底上获得了无裂纹、单相的多晶正交相BaSi2薄膜，其载流子寿命长达1.5微秒。ITO/BaSi2/Ge/Al结构的光响应特性清晰可见，且光响应度随a-Si沉积时衬底温度升高而增强。此外，Ge上生长的BaSi2薄膜比Si上生长的具有更高光响应度，表明蒸发法制备的Ge基BaSi2在薄膜太阳能电池中具有应用潜力。

    关键词： 光电响应特性、锗衬底、薄膜太阳能电池、BaSi2、真空蒸发

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 在锗衬底上生长的GaSb/GaAs量子点的光致发光特性与生长机制的关系

    摘要： 本工作采用光致发光（PL）光谱技术研究自组装GaSb/GaAs量子点（QDs）的生长机制依赖性。通过激发功率和温度相关的PL测量，探究了载流子转移（即量子点内的载流子复合及通过势垒层的逃逸）特性。量子点峰能从1.23 eV急剧蓝移至1.30 eV并进一步移动到1.33 eV，揭示了GaSb生长速率与生长温度对这些量子点光学性质的影响。通过将量子点峰的积分PL强度拟合阿伦尼乌斯关系，从温度相关的PL数据中提取出热激活能。在450°C下以0.1单层/秒生长速率制备的量子点具有更高的热激活能（109 meV），高于低生长速率及高量子点生长温度条件下制备的样品。观测到的PL特性从量子点尺寸、量子点均匀性以及缓冲层和盖层生长过程中发生的材料互混等方面进行了讨论。

    关键词： 锗衬底、量子点、光致发光、GaSb/GaAs、生长机制

    更新于2025-09-11 14:15:04