应变和组分对CMOS兼容中红外光源直接带隙I型GeSn/GeSnSi量子点导带偏移的影响

摘要： 提出了一种用于中红外光源的I型能带Ge0.75Sn0.25/Ge0.682Sn0.158Si0.16量子点异质结构。通过理论研究应变和组分效应来优化直接带隙GeSn量子点的能带偏移。研究发现，在势垒层中引入拉应变和硅掺杂能有效增大导带能带偏移。此外，量子点中的锡组分和量子点尺寸的增加也有望提高能带偏移量。