传导带电位对Sr2?掺杂CeO?负载Au无助催化剂等离子体光解水制氢的影响

摘要： 关于可见光照射下半导体负载金纳米颗粒的传导带（CB）位置对等离子体产氢（H2）影响的研究较少，因为此前缺乏传导带位置渐变的合适材料。本研究分析了锶离子（Sr2+）掺杂二氧化铈（CeO2:Sr）的平带电位，发现随着Sr2+摩尔分数增加，其CB位置从+0.031 V至?1.49 V（相对于标准氢电极NHE）逐渐负移。我们制备了由金纳米颗粒、CeO2:Sr和铂（Pt）助催化剂组成的等离子体光催化剂，并通过X射线衍射、紫外-可见光谱及透射电镜进行表征。可见光催化反应表明：当CeO2:Sr的CB电位为?0.61 V（vs. NHE）时，其负载的金纳米颗?？刹猓磺业缱哟咏鹉擅卓帕Ｗ⑷氲腃B位置负极限存在于?0.61 V至?1.49 V（vs. NHE）区间。研究发现由于注入CeO2:Sr CB的电子具有足够负的电位，Au/CeO2:Sr等离子体光催化剂无需Pt助催化剂也能产氢。