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正向栅极应力下p-GaN栅HEMTs双向VTH漂移的载流子输运机制
摘要： 研究了p-GaN/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在正向栅极应力下的阈值电压(VTH)不稳定性。观测到具有6V临界栅压(VG)的独特双向VTH漂移(ΔVTH)。通过电压依赖性、时间分辨和温度依赖性的栅极电流，深入探究了ΔVTH背后的载流子输运机制。根据VG值将栅极电流分解为三个区域的电子与空穴电流：关态(VG<1.2V，即VTH以下)、开态(1.2V<VG<5V)和"栅极注入"区(VG>5V)。关态时电子受热激发向栅极输运；开态和"栅极注入"区则观察到AlGaN势垒中空间电荷限制导电(SCLC)主导的电子俘获现象，该效应导致VG<6V时出现正VTH漂移。同时栅极电流也捕捉到热激发引起的微弱栅极空穴输运，但其对VTH影响可忽略。当VG>6V时，高栅压触发的剧烈空穴注入引发后续AlGaN势垒中的空穴俘获及GaN缓冲层空穴注入。注入空穴增强了栅极区正电荷，使原本正偏移的VTH转为负向漂移。
关键词： 空穴注入、阈值电压漂移、p-GaN HEMT、电子俘获、载流子输运机制、栅极应力
更新于2025-09-23 15:22:29
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高总电离剂量水平下CMOS图像传感器技术的辐射硬度比较
摘要： 研究了制造工艺对CMOS图像传感器在MGy级总电离剂量下辐射诱导退化效应的影响。此外，据我们所知首次评估了部分钉扎光电二极管在中高总电离剂量下的脆弱性。结果表明：3T标准部分钉扎光电二极管在辐照前具有最低暗电流，但在10kGy(SiO2)时其暗电流增至~1pA，超过10kGy(SiO2)后像素功能丧失。通过对比多种CIS技术发现，制造工艺会影响两种主要辐射诱导退化现象——读出链MOSFET的阈值电压漂移和暗电流增加。在所有测试技术中，1.8V MOSFET表现出更低的阈值电压漂移，N型MOSFET具有最佳抗辐射性。所有受测器件中，1.8V传感器实现了最优暗电流性能。为深入理解极端总电离剂量下CIS的抗辐射加固，我们在MGy量级评估了多种"设计即抗辐射"解决方案。
关键词： 栅极重叠、辐射效应、漏极、CMOS图像传感器、部分钉扎光电二极管、暗电流、总剂量辐照（TID）、阈值电压漂移、抗辐射硬件设计（RHBD）
更新于2025-09-23 15:21:01
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1.3：超高清显示器TFT集成栅极驱动器的评估方法
摘要： TFT集成栅极驱动器的可靠性问题在大尺寸（如电视）显示应用中仍备受关注，尤其是经过高温高湿（HTHHO）应力测试的a-Si:H TFT集成面板。本文提出了一种基于电流检测的栅极驱动器故障识别方法，并对采用集成栅极驱动器的55英寸超高清（4K）电视面板进行了测量。研究发现，HTHHO测试后的栅极驱动器故障与时钟总线线路的通孔开路密切相关。实验证明，由于栅极驱动器输出的多脉冲信号，当时钟线导通时间延长时其电流会增大。而长时间应力测试运行后，铜材料中的氧元素会导致时钟总线线路开路。
关键词： 阈值电压漂移、可靠性、TFT集成栅极驱动器
更新于2025-09-10 09:29:36