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oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
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  • [IEEE 2018年首届电磁场生物医学应用世界会议(EMF-Med) - 克罗地亚斯普利特(2018.9.10-2018.9.13)] 2018年首届电磁场生物医学应用世界会议(EMF-Med) - 弱低频电磁场对细胞影响的测量

    摘要： 我们研究的目的是开发一个自动化实验平台，用于识别弱低频（LF）电磁?。‥MF）对细胞的影响。该平台包含多个测量站点，可实现对细胞培养物的监测及后续特性分析。主要检测方法包括电阻抗谱（EIS）、光学显微镜和浊度测量。电阻抗谱能提供细胞培养生长信息并实现细胞结构的电学表征；通过视频显微图像的计算机分析研究细胞形态学与动力学特征。该复合测量系统可在寻找被测生物系统可能特异性响应的同时，高效扫描电磁场的频率与振幅参数。本开发平台致力于为低频电磁场生物效应研究贡献通用方法论。

    关键词： 显微镜图像分析、阻抗谱分析、COST EMF-MED项目、低频电磁场

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2019国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 加拿大安大略省渥太华 (2019.7.8-2019.7.12)] 2019年国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 用于硅太阳能电池模拟的紧凑型传输线等效电路模型

    摘要： 我们展示了一种用于单晶硅太阳能电池传输线表征的紧凑等效电路模型。该模型通过阻抗/导纳谱对太阳能电池特性进行表征。准确表征器件特性所需的坐标分区元件数量与太阳能电池外延层结构层数相当合理。这使得该模型便于在外部电路中进行瞬态效应仿真——当完全分布式的传输线模型因过于复杂而无法直接进行时域计算时，本模型具有显著优势。

    关键词： 数值模拟、光电器件、太阳能电池、等效电路模型、阻抗谱分析

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 通过金离子注入二氧化钛薄膜电极提高染料敏化太阳能电池的光伏性能

    摘要： 已知等离子体金属纳米粒子可作为光捕获天线并增强光伏电池的光电流。因此，本研究探究了金（Au）离子分布对染料敏化太阳能电池（DSSCs）效率的影响。采用刮刀涂布法在FTO玻璃基底上沉积TiO?薄膜，随后以不同注量率（即2×101?、4×101?和6×101?离子/平方厘米）向这些薄膜注入Au离子。XRD结果表明，在4×101?离子/平方厘米注量率下TiO?均保持锐钛矿相；当注量率达6×101?离子/平方厘米时出现一个金红石相峰，证实薄膜存在TiO?混合晶相。UV测试显示染料在所有光阳极均有吸附，其中4×101?离子/平方厘米注量率下染料吸附量最大。DSSC的能量转换效率高度依赖Au注量率：在4×101?离子/平方厘米注量率时，电池具有7.21 mA/cm2的高短路电流密度（JSC），从而实现2.92%的高效率（×）。阻抗谱分析表明，4×101?离子/平方厘米Au离子注量率形成的电池具有较低的电子/空穴复合速率。

    关键词： 阻抗谱分析、离子注入、金、二氧化钛、染料敏化太阳能电池

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 通过采用溅射制备的氧化锌锡电子传输层和热蒸镀的氧化钨电荷限制层，提升CdSe/ZnS量子点发光二极管的电荷平衡与性能

    摘要： 通过采用真空沉积的电子传输层(ETL)和载流子限制层(CRL)，成功改善了CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD-LEDs)的载流子平衡与器件性能。通过优化反应溅射氧化锌锡(ZTO)ETL的制备工艺并采用热蒸镀氧化钨(WOx)CRL，有效提升了电子-空穴平衡，从而获得性能更优的QD-LEDs。阻抗谱分析技术成功应用于研究QD-LED各功能层的载流子注入过程及电子-空穴复合行为。优化ZTO ETL但未采用WOx CRL的QD-LED展现出2600 cd m?2亮度和3.2 cd A?1电流效率，而同时采用优化ZTO ETL与WOx CRL的QD-LED则达到3900 cd m?2亮度和5.1 cd A?1电流效率。这些结果为改善QD-LEDs的电子-空穴平衡与器件性能提供了实用方法，并建立了分析QD-LED载流子行为的可靠技术。

    关键词： CdSe/ZnS量子点、发光二极管、氧化钨、电荷平衡、氧化锌锡、阻抗谱分析

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 水热法合成的Cd0.8Fe0.2S相较于共沉淀法的电荷传输性能提升：结构、光学及磁学性质的对比研究

    摘要： 我们阐明了被视为稀磁半导体（DMS）的Cd0.8Fe0.2S的结构、光学、磁性和电学特性。采用共沉淀法（化合物1）和水热法（化合物2）合成了Cd0.8Fe0.2S材料，其粒径和多晶相显著受合成工艺影响。反铁磁耦合的存在证实了材料的磁行为。电流-电压（I-V）特性显示基于化合物2的器件（0.59 eV）比另一器件（0.64 eV）具有更低的势垒高度。此外，Al/化合物2/ITO构型器件的迁移率提升19倍且费米能级附近态密度更低，这一现象通过空间电荷传导机制得到解释。但I-V特性无法区分器件的界面电阻，因此我们通过模拟阻抗谱获得的奈奎斯特图解决问题。采用适当等效电路拟合奈奎斯特图，并通过肖特基界面电荷传输机制进行阐释?；衔?制备的二极管的更高直流电导率和更短弛豫时间验证了I-V特性的结论，同时分析了粒径对电荷传输的影响。

    关键词： 肖特基二极管特性，稀磁半导体，化学合成，阻抗谱分析

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 铁掺杂钛酸钡的结构、介电及阻抗谱研究

    摘要： 采用传统固相反应法合成了BaFexTi1–xO3体系中x=0.03、0.05和0.10的组合物，并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线光谱(EDX)进行表征。XRD图谱显示四方相与六方相共存，且受铁掺杂水平显著影响。六方相随x值增大而增加，在x=0.10时达到最大值。SEM图像显示存在团聚晶粒，其尺寸随铁掺杂量增加而增大。x=0.10的SEM图主要呈现棒状或矩形晶粒，表明以六方相为主。在20 Hz-1 MHz频率范围内进行了300-650 K温度依赖的介电和阻抗测试。x=0.03和0.05样品呈现弥散相变。通过复阻抗分析建立了能良好拟合数据并成功分离四方相、六方相、晶界及电极贡献的等效电路模型。

    关键词： 阻抗谱分析，铁掺杂钛酸钡，介电响应，扩散相变

    更新于2025-09-09 09:28:46