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oe1(光电查) - 科学论文

56 条数据
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  • 掺锗PbO–CaO–TiO2–SiO2–B2O3玻璃陶瓷的电学特性

    摘要： 采用熔融淬冷法制备了复合体系55[(PbxCa1?x)O?TiO2]-44[2SiO2?B2O3]-1Ge (0 ≤ x ≤ 0.7)的多种玻璃样品，并通过控制结晶工艺获得相应微晶玻璃(GC)。利用X射线衍射仪(XRD)进行物相鉴定与晶体结构分析，并测量晶胞参数。XRD结果表明形成了单一金红石(TiO2)相。通过扫描电子显微镜(SEM)观察了合成GC样品的表面形貌。采用阻抗谱和导纳谱技术系统研究了x=0.0、0.3和0.7三个典型GC样品的电学性能。无铅GC样品(x=0.0)在低频(50Hz)高温(500°C)条件下因空间电荷极化效应（经阻抗谱验证）表现出高达91,252的介电常数。通过等效电路模型对阻抗谱进行拟合，计算获得了不同电阻与电容参数值。

    关键词： 介电常数、金红石型二氧化钛、玻璃陶瓷、阻抗谱、空间电荷极化

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • (Bi0.49Na0.49Ba0.02)TiO3-PVDF薄膜复合材料的制备与电学性能表征

    摘要： 通过传统陶瓷工艺路线制备了掺钡钛酸铋钠（即Bi0.49Na0.490.98Ba0.02）TiO3（BNBT）粉体。采用溶液浇铸法制备了BNBT-聚偏氟乙烯（PVDF）薄膜复合材料。扫描电镜照片显示薄膜样品晶粒分布均匀且无裂纹/孔隙。研究发现PVDF中BNBT含量增加会提升介电常数并降低损耗因子（正切损耗）。在25-100°C温度范围内，对1kHz至1MHz频段内薄膜样品的多种电学性能进行了研究。所制复合薄膜用于探究：(a)性能与晶体结构的关系；(b)通过复数模量和阻抗谱分析弛豫与传导机制。通过实验数据与等效电路拟合分析了复合薄膜中晶粒的贡献。阻抗和模量参数研究表明存在非德拜型介电弛豫。根据交流电导率温度依赖性计算的活化能揭示了载流子的跳跃特性，进一步阐明了复合材料的传导过程与机制。

    关键词： 阻抗谱、介电性能、陶瓷-聚合物复合材料

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018全球智能工业会议（GloSIC） - 俄罗斯车里雅宾斯克（2018.11.13-2018.11.15）] 2018全球智能工业会议（GloSIC） - 作为新兴压力传感器智能介质的介相材料：直流电导率的电容测量方法

    摘要： 液晶材料因其独特的物理特性，是触觉压力传感器领域中极具应用前景的一类材料。其中一种特性是各向异性电导率，其数值可通过外加电场进行调控。本报告将探讨一种电容法，用于测量被封闭电极限制在液晶盒中的液晶层的直流电导率。研究表明，该技术可在宽温度范围内估算液晶的直流电导率。所获结果可用于...

    关键词： 阻塞电极、阻抗谱、液晶、电导率

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [2018年IEEE电气工程与光子学国际会议（EExPolytech）- 俄罗斯圣彼得堡（2018.10.22-2018.10.23）] 2018年IEEE电气工程与光子学国际会议（EExPolytech）- 室温下氧化锌纳米棒阵列的气敏特性研究

    摘要： 本文提出了一种氧化锌纳米棒的合成技术及其对有机溶剂蒸汽敏感性的研究。采用水热法合成了氧化锌纳米棒，并通过阻抗谱法研究了其气敏特性。研究表明，氧化锌体系在室温下对还原性气体蒸汽表现出显著响应。结果表明，籽晶层厚度及由此形成的氧化锌纳米棒基体结构密度会强烈影响传感器的灵敏度。

    关键词： 阻抗谱、纳米棒、水热合成、氧化锌、气体传感器

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • LaFe1?xMoxO3 (x?=?0.0, 0.5) 钙钛矿材料的结构、光学及介电性能研究

    摘要： 采用溶胶-凝胶法合成的LaFe1?xMoxO3（x = 0.0、0.5）的结构、光学及介电性能通过X射线衍射（XRD）、拉曼散射和阻抗谱进行了研究。XRD分析表明x = 0.5化合物为单相正交晶系，空间群Pbnm，与母体x = 0.0化合物相似但具有更大的晶格参数和/或晶胞体积。拉曼散射光谱揭示了x = 0.5化合物存在局域晶格畸变以及与磁转变（奈尔）温度相关的自旋-声子耦合。阻抗数据与R(R1-CPE1)//(R2-CPE2)等效电路良好拟合，证实了晶粒与晶界的共同贡献。介电性能的温度（300-500 K）和频率（100 Hz-1 MHz）依赖性显示，Mo掺杂对介电参数产生了不利影响。

    关键词： X射线衍射、LaFe1?xMoxO3、阻抗谱、拉曼散射、溶胶-凝胶法、介电性能

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 施主掺杂钛酸铋陶瓷的点缺陷化学

    摘要： 本通信报道了室温下掺钡钛酸铋(Bi4Ti3O12)的缺陷化学特性，重点研究了点缺陷对其电学性能的影响。采用传统固相反应法制备了纯相和掺钡Bi4Ti3O12样品。通过X射线衍射结合Rietveld精修分析监测了钡离子在Bi4Ti3O12晶体结构中的掺入情况，确定钡占据铋(Bi)晶格位点并伴随氧空位(V??O)的形成。利用阻抗谱和电子自旋共振光谱对点缺陷进行表征，结果表明其补偿机制主要由带正电的空穴(h?)和氧空位(V??O)主导。

    关键词： 缺陷化学、X射线衍射、Rietveld精修、阻抗谱、固相反应、掺钡钛酸铋、电子自旋共振谱、电学性能、氧空位

    更新于2025-09-04 15:30:14