具有螺旋位错的Rosen-Morse量子点的磁光特性

摘要： 这是首个研究螺旋位错GaAs/GaAlAs异质结构产生的Rosen-Morse（RM）约束势量子点的工作。为抑制螺旋位错缺陷效应，同时在RM量子点（RMQD）上施加外磁场和Aharonov-Bohm（AB）磁通场，进而探究三者共同作用对RMQD总折射率变化（TRICs）和总吸收系数（TACs）的影响?；谂ぷτ胪獬∈┘臃较蚣敖峁苟猿菩?，采用柱坐标系进行研究。通过有效质量近似和三对角矩阵法获取RMQD的子带能谱与电子波函数，运用迭代法框架下的紧致密度矩阵形式体系分析RMQD非线性光学特性。为阐明螺旋位错缺陷对光学性质的影响，同时开展了无位错对照研究并对比讨论。本研究首次实现了无螺旋位错RMQD的AB磁通场分析，通过设定不同外磁场与AB磁通场值探究螺旋位错对TRICs和TACs的影响，明确了结构最优参数对应范围。研究还阐明了如何利用外场消除螺旋位错的光学特性影响——尽管存在位错，仍确定了结构在最优状态下呈现完美（无位错）行为特征的频率范围，这对实验应用至关重要。