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用于集成缩小尺寸IGZO薄膜晶体管的器件结构与钝化方案
摘要： 本研究的重点在于器件结构缩放及IGZO薄膜晶体管在不同半导体钝化方案下的性能依赖性。通过TCAD模拟深入分析了决定静电控制极限的关键细节。研究调整了栅极和背沟道区域的介质材料以抑制短沟道效应，并对PECVD钝化层工艺配方、氧气氛退火工艺以及ALD覆盖层材料进行了必要改进。针对沟道长度小至1微米的缩放器件，通过静电特性及热应力/偏压应力下的稳定性进行了评估。本文提出了优化后的工艺方案及相关操作细节，并给出了进一步将沟道长度缩减至亚微米尺度的可选方案。
关键词： 氧化铟镓锌薄膜晶体管、缩放、TCAD模拟、静电控制、等离子体增强化学气相沉积、短沟道效应、原子层沉积、热稳定性、偏置应力、钝化
更新于2025-09-16 10:30:52
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向列相液晶与胶体中的静电控制表面边界条件
摘要： 与各向同性流体不同，液晶与表面表现出高度各向异性的相互作用，这些作用为棒状分子在与胶体颗粒和受限基底界面处的排列定义了边界条件。我们证明，通过利用表面功能化与表面带电及体相抗衡离子产生的电场之间的竞争排列效应，可以控制向列相分子的表面排列。调控体相和表面的离子含量，能够调整片状等形状各向异性颗粒在排列向列相基质中的取向，并改变指向矢相对于受限基底的方位。由此产生的各向异性弹性和静电相互作用，使得胶体晶体具有可重构的对称性及颗粒取向。
关键词： 胶体、向列相排列、液晶、表面边界条件、静电控制
更新于2025-09-12 10:27:22