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[2019年IEEE国际集成电路与纳系统设计与测试会议(DTS) - 突尼斯迦太基 - (2019.4.28-2019.5.1)] 2019年IEEE国际集成电路与纳系统设计与测试会议(DTS) - 基于人工神经网络子模型技术的超尺度碳纳米管场效应晶体管快速精确仿真
摘要： 本文提出了一种基于人工神经网络（ANN）的新型建模方法，用于模拟超尺度碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）。通过采用子建模概念有效简化了整体建模流程。所开发的子模型在漏极电流结果上与?？占浞瞧胶飧窳趾∕S-NEGF）仿真进行了对比，显示出良好的一致性。此外，仿真测试表明，所提出的智能模型比标准MS-NEGF仿真速度快约两个数量级。结果表明，这种基于ANN的子建模方法具有高精度和计算高效的特点，可成功用于超尺度CNTFET及未来碳纳米管基纳米集成电路的模拟、分析和优化。
关键词： 计算智能、人工神经网络（ANN）、非平衡格林函数（NEGF）、数值建模、碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）
更新于2025-09-12 10:27:22
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合金工程氮化物隧穿场效应晶体管：异质结TFET挑战的解决方案
摘要： MOSFET受限于60 mV/dec的电流-电压陡峭度，难以在0.6V以下工作。采用隧道晶体管(TFET)等新型器件可突破这一限制，进一步降低电源电压(VDD)和功耗。但TFET存在导通电流低导致性能缓慢的问题。在这方面，III族氮化物异质结构TFET颇具前景——氮化物异质结中的晶格失配会诱发压电极化场从而提升导通电流。然而研究表明，异质界面处的载流子热化效应会劣化亚阈值特性。因此优秀设计应尽量减少异质界面的受限量子阱(QW)能级数量，在维持晶格失配诱导极化以增强导通电流的同时不损害亚阈值特性。我们证明：基于InGaN衬底的InAlN量子阱合金工程TFET设计有望满足这些要求。通过合理调控合金摩尔分数和量子阱宽度，既能消除（或至少最小化）不利的热化效应，又能提供晶格失配以诱导压电场提升导通电流。我们采用原子级量子输运模型进行器件模拟，该模型考虑了相关物理机制并捕捉真实散射热化效应。该模型在我们前期对氮化物隧穿异质结二极管的实验测量中已完成验证，现用于优化合金工程氮化物TFET。
关键词： EQNEQ，带间隧穿（BTBT），唯象散射，氮化物，隧穿场效应晶体管（TFET），紧束缚（TB）方法，原子尺度，非平衡格林函数（NEGF），内建极化，陡峭器件
更新于2025-09-09 09:28:46
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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 实现垂直堆叠多硅纳米线场效应管更真实的NEGF模拟
摘要： 我们基于非平衡格林函数（NEGF）方法，展示了垂直堆叠多硅纳米线（SiNW）场效应晶体管（FET）的量子输运模拟结果。为了考虑更真实的器件条件（如多通道FET的复杂几何结构及各种载流子散射过程），我们改进了NEGF模拟的物理模型和数值技术。
关键词： 非平衡格林函数（NEGF）、量子输运、多纳米线场效应晶体管
更新于2025-09-09 09:28:46
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采用STS测量和DFT-NEGF方法研究Cu-AlF3-W与Cu-AlF3-Cu异质结的输运特性
摘要： 为理解并分析不同金属-绝缘体体系的输运特性，我们开展了两项研究：一是对沉积于Cu(100)衬底上的AlF3薄膜进行电子输运性质的实验研究；二是通过理论建模研究由AlF3分子连接两种不同几何构型的金属电极（Cu(100)-W(100)与Cu(100)-Cu(100)）所构成体系。左端公共电极始终为Cu(100)层，而右端可变电极（W(100)或Cu(100)）在部分情况下表现为层状结构，另一部分则呈现尖端结构。通过扫描隧道谱（STS）测量获得了偏压范围-2.5至5.0V内的隧穿电流-电压（I-V）特性曲线，并采用含非平衡格林函数方法（NEGF）的密度泛函理论（DFT）进行计算。理论曲线显示电流值较低（约10^-12至10^-9量级），与同范围内实验I-V曲线高度吻合，表明击穿响应电流始于5.0V以上电压。同时展示了透射谱、总态密度（DOS）和分波态密度（PDOS），并通过态密度分析了透射率变化规律。
关键词： 扫描隧道谱学（STS）、非平衡格林函数（NEGF）、扫描隧道显微镜（STM）、电子输运、AlF3薄膜
更新于2025-09-04 15:30:14