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基于聚乙烯吡咯烷酮与WS2量子点的高稳定性柔性忆阻器件
摘要： 制备了嵌入聚乙烯吡咯烷酮（PVP）基柔性忆阻器件中的二硫化钨（WS2）量子点（QDs），该器件展现出典型的双稳态电学开关特性与显著的非易失性忆阻行为。从器件的电流-电压（I-V）曲线测得最大开关比接近10^4，其置位电压为+0.7 V，有效降低了能耗。器件数据提取的保持时间高达1×10^4秒，表明其具有非易失特性。通过弯折测试进一步证实了器件的高柔性特征。通过拟合I-V曲线阐释了载流子输运机制，器件的可能工作机理可基于电子俘获与释放过程进行解释。本研究采用超声与水热法制备了均匀分散于透明N,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶剂中的WS2量子点。
关键词： 忆阻器件、非易失性存储器、聚乙烯吡咯烷酮、二硫化钨量子点、柔性电子学
更新于2025-09-19 17:13:59
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光控分子电阻开关铁电异质结
摘要： 分子铁电体作为下一代非易失性存储器件开发的有前途途径已取得重大进展。本文报道了由分子铁电体(R)-((cid:1))-3-羟基奎宁鎓氯化物与有机电荷转移复合物构成的半导体-铁电异质结。分子铁电畴提供极化和双稳态特性，而有机电荷转移相则实现光伏效应所需的光生电荷生成与传输。通过切换铁电相中的极化方向，基于该异质结的器件在外加电场下呈现非易失性电阻开关特性，并产生光激发诱导的光电流/电压，同时具备稳定的疲劳特性与长保持时间。总体而言，这种光伏调控的电阻开关为全有机多相非易失性存储器提供了新途径。
关键词： 分子铁电体、光伏效应、异质结、非易失性存储器、电阻开关
更新于2025-09-16 10:30:52
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具有可调电导率和电阻开关特性的MXene量子点/聚合物杂化结构，用于非易失性存储器件
摘要： 低维MXene材料（包括MXene量子点MQDs和纳米片）因其独特结构和新颖特性受到广泛关注，但其最具吸引力的特性仍未得到充分探索。本研究系统报道了基于MQD的电子器件记忆效应。通过一步简易水热合成法制备出单分散MQDs，通过调节聚乙烯吡咯烷酮（PVP）复合薄膜中MQD含量，可精确调控氧化铟锡（ITO）/MQD-PVP/金（Au）三明治结构的电导率——从绝缘体行为转变为不可逆阻变开关、可逆阻变开关直至导体行为。这两种不可逆与可逆阻变开关分别展现出一次写入多次读?。╓ORM）和闪存效应。两类器件在保持测试中均稳定运行，开关比高达100。这种混合薄膜的可调记忆特性和瞬态特征，可能源于MQD量子限域效应导致的电荷捕获及忆阻组分的可溶性。结果表明，MXene纳米材料有望成为新兴非易失性存储器（特别是数据存储安全领域）的阻变触发材料。
关键词： 阻变效应、MXene量子点、电荷捕获、闪存、非易失性存储器、一次写入多次读取存储器
更新于2025-09-12 10:27:22
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通过选择电极材料和界面效应揭示的Ge2Sb2Te5相变存储器件中极快速、高能效的RESET过程
摘要： 相变存储器（PCM）具有高速、非易失性等有望成为"通用存储器"的特性，但在亚纳秒时间尺度内实现低功耗RESET操作是关键挑战。本研究通过TCAD仿真，利用电极材料选择及其在精心设计的器件架构中的界面效应，展示了速度与功耗之间的权衡——在纳米级孔状Ge2Sb2Te5（GST）PCM器件中实现了超快（亚纳秒）且低功耗（亚毫瓦）的RESET操作。我们采用TiAlN、TiW和TiN三种不同底电极材料研究了接触直径20纳米的微型器件，发现TiN能实现低功耗RESET（159微瓦，脉冲长度40纳秒），其功耗较TiW和TiAlN分别降低63%和44%。GST/TiN与GST/SiO2之间显著的界面效应有助于实现低功耗RESET操作。此外，采用超快（400皮秒）脉冲（IRESET为529微安）实现低能耗RESET，使能耗降低约100倍（578飞焦）。模拟器件还展示了采用TiN和TiAlN电极材料时200皮秒的极快RESET操作。因此，我们关于超快（200皮秒）、超低能耗（578飞焦）和低功耗（159微瓦）RESET过程的仿真结果，以及界面效应的重要作用，将为未来电子器件设计超低能耗PCM提供重要参考。
关键词： 热边界电阻、相变存储器、非易失性存储器、复位能量
更新于2025-09-11 14:15:04
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集成分子浮栅/隧穿层的有机晶体管非易失性存储器
摘要： 基于集成分子浮栅/隧穿层的浮栅有机场效应晶体管（FG-OFET）非易失性存储器（NVM）得以实现，其中采用真空热蒸镀法同步制备了作为浮栅的小分子富勒烯（C60）和作为隧穿层的长链烷烃分子四十四烷。研究考察了集成浮栅/隧穿层的厚度与组分对存储性能的影响。结果表明，在优化条件下获得高性能FG-OFET NVM：平均存储窗口达8.0V，数据保持能力稳定超过10年，且在640V编程/擦除电压下可实现超过100次循环的可靠开关耐久性。
关键词： 有机晶体管、非易失性存储器、富勒烯、隧穿层、分子浮栅、四十四烷
更新于2025-09-04 15:30:14