非晶态SiO?中碳相关缺陷的结构稳定性与能级及其与SiC的界面

摘要： 我们通过分子动力学中的熔融淬火技术，采用密度泛函计算系统阐明了非晶态SiO2中碳相关缺陷的稳定形态及其能级?；赟iC/SiO2界面近端与远端氧化学势的位置依赖性，我们确定了最主要的碳相关缺陷形态：远离界面时，SiO2内部空间富集的CO2或CO电子惰性显著；靠近界面时，碳聚集现象更易发生，其中特定的单碳缺陷和双碳缺陷会在SiC导带底附近引入能级，因而成为载流子陷阱的潜在候选者。