具有双向阈值开关特性的非晶As_xTe_1?x薄膜中陷阱控制的限流空间电荷传导

摘要： 硫系材料中的双向阈值开关（OTS）现象因其在抑制交叉点阵列结构漏电流方面的应用潜力而备受关注。尽管OTS现象看似源于电子过程，但其具体机制——特别是关于亚阈值导通与阈值开关特性——仍不明确。本研究证实：非晶硫系材料中指数分布的陷阱态结构会影响亚阈值导通特性。通过研究二元AsxTe1?x薄膜，我们探究了陷阱分布对OTS特性的影响，分析了能带结构，并建立了陷阱控制的空间电荷限制导通模型。