[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 考虑场发射体小簇时顶点场增强因子分数化减小的差异性与普适性

摘要： 数值模拟在评估场发射相关现象的诸多特性时具有重要意义。本研究分析了单发射极（顶端场增强因子γ?）与双发射极对（顶端场增强因子γ?）的顶端场增强因子分数变化量δ?；谟邢拊际酰颐侵っ鞯狈⑸浼嵯呒渚郼足够大且域尺寸趋于无限时，函数关系δ(c)遵循近期提出的幂律衰减规律[1]——该现象未被长期沿用的指数衰减模型[2]或Harris等人新近提出的复杂拟合公式[3]所观测到。这种反三次幂律函数关系适用于不同形状发射极构成的无限阵列及小型团簇等多种体系。因此建议：当任意形状发射极间距足够大时，?δ～c??（m=3）可作为小型团簇或阵列中电荷钝化(CB)效应的普适特征标志。这些成果深化了对场致电子发射理论的物理认知，有助于精准表征小型团簇或阵列中的发射极特性。