[2018年IEEE国际电路与系统研讨会（ISCAS）- 意大利佛罗伦萨（2018.5.27-2018.5.30）] 2018 IEEE国际电路与系统研讨会（ISCAS）- 高能物理中马赫-曾德尔调制器抗辐射高速驱动器设计

摘要： 本文介绍了一种高速驱动器的集成电路设计（采用CMOS 65 nm 1.2 V工艺），该驱动器为马赫-曾德尔调制器(MZM)提供差分输入信号，并通过调节偏置电压实现MZM工作点的调谐。设计采用深n阱沟槽构建多电压隔离域电路，以满足MZM的高电压摆幅和偏置调节需求?；诠韫庾觟SiPP50G技术实现的MZM器件原型，正成为耐辐射（可达数百Mrad）且高速（10 Gbps量级）光链路的有前景解决方案。这些严苛要求适用于大型强子对撞机升级或未来直线对撞机等高能物理实验。