关于共溅射沉积含氧污染的TaN薄膜中嵌入硅基微团簇的观察

摘要： 我们利用扫描电子显微镜（SEM）和同步辐射高分辨率X射线光电子能谱，研究了含氧污染的TaSiN薄膜中嵌入的硅基微团簇。TaSiN薄膜通过共溅射法沉积于固定或旋转衬底上，并采用不同功率条件的TaN和Si靶材制备。通过SEM观测分析了三类具有纯硅、SiOx包覆硅和SiO2包覆硅化学态的嵌入微团簇，并获取了相应的Si 2p和Ta 4f芯能级谱。这些微团簇不同的电阻率可能源于其化学态及硅基微团簇密度的差异。