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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议（IRMMW-THz）- 法国巴黎（2019年9月1日-2019年9月6日）] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议（IRMMW-THz）- AlGaN/GaN异质结中热二维等离子体辐射衰变产生的太赫兹发射
摘要： 研究了在横向电场中二维电子加热条件下，具有表面金属光栅的AlGaN/GaN/Al2O3异质结构产生太赫兹辐射的现象。该研究在基本非平衡状态下进行——此时二维电子与二维等离子体的有效温度远高于晶格温度，从而能够观测并探究与二维等离子体共振相对应的高强度太赫兹辐射优质峰。
关键词： 电子加热、AlGaN/GaN异质结、辐射、太赫兹、二维等离子体激元
更新于2025-09-16 10:30:52
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AlGaN/GaN HEMT中电子迁移率的分析研究
摘要： 基于氮化镓的异质结在高频功率应用方面展现出卓越潜力，这源于其较大的带隙能量和电子的高饱和漂移速度。高电子迁移率晶体管（HEMT）以AlGaN/GaN异质结为基础。我们的工作是对AlGaN/GaN HEMT载流子迁移率进行解析研究，计算电离杂质散射、残余杂质散射、界面粗糙度散射、合金无序散射、位错散射、声子和偶极子的影响，同时考虑工艺参数（掺杂浓度、铝组分含量）和几何结构（势垒层厚度、界面粗糙度）的作用。研究结果使我们能够分析二维电子气沟道中载流子密度的变化情况。
关键词： 高电子迁移率晶体管（HEMT）、迁移率、散射机制、AlGaN/GaN异质结、二维电子气（2DEG）
更新于2025-09-10 09:29:36