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用于铥掺杂光纤激光器中畴壁暗脉冲生成的Bi2Te3拓扑绝缘体
摘要： 我们通过实验验证了掺铥光纤激光器中基于拓扑绝缘体可饱和吸收体（SA）产生的畴壁（DW）暗脉冲。采用块状结构的Bi2Te3作为SA，该材料通过将Bi2Te3与蒸馏水混合后沉积在光纤插芯平台上构建而成。该掺铥光纤激光腔在1956纳米和1958纳米双波长下产生了畴壁暗脉冲。在约80毫瓦泵浦功率下，测得暗脉冲宽度约为10.3纳秒，重复频率约为20.7兆赫兹。据我们所知，这项工作首次实现了基于纳米材料SA的掺铥光纤激光器中畴壁暗脉冲的产生。
关键词： 光纤激光器，Bi2Te3，拓扑绝缘体，畴壁暗脉冲
更新于2025-11-28 14:23:57
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电沉积纳米结构Bi2Te3薄膜的电化学与表面形变研究
摘要： 本文采用双曝光数字全息干涉测量技术（DEDHI），研究了电沉积法制备Bi2Te3薄膜过程中的表面形变及全息图记录。通过结构、形貌、电化学、润湿性及表面形变等手段对所制Bi2Te3薄膜进行了表征。研究过程中通过改变电解液浓度，在电沉积阶段同步记录全息图，并根据干涉条纹计算出应力、沉积质量与膜层厚度。结果表明：电解液浓度变化会引起干涉条纹宽度、薄膜沉积质量及基底应力的改变。该技术被证实是电沉积过程中测量厚度的可靠方法。电化学阻抗谱（EIS）研究证实所沉积材料具有高导电性。
关键词： Bi2Te3，电化学阻抗谱，全息术，直接电沉积氢化铟，电化学性能，电沉积
更新于2025-11-14 15:16:37
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热光伏电池将低温辐射转化为电能
摘要： 热光伏电池能将低温辐射转化为电能，在众多领域具有潜在应用价值。本文展示了一种在300-480K黑体辐射下工作的Bi2Te3/Si热光伏电池。实验结果表明，该电池即使在300K的辐射温度下也能输出电能。Bi2Te3/Si异质结的能带结构及Bi2Te3薄膜中的缺陷降低了电池的转换效率。研究还证实，硅的电阻率和Bi2Te3薄膜的厚度对Bi2Te3/Si热光伏电池具有重要影响。虽然电池输出功率较小，但这项工作为利用低温辐射提供了一种可行途径。
关键词： Bi2Te3/Si，低温辐射，电能转换，热光伏电池
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2019年光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 意大利罗马（2019年6月17日至20日）] 2019年光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 采用金属有机化学气相沉积法在锥形光纤段制备铋及碲化铋薄膜作为光纤激光器调Q开关
摘要： 研究了采用涂覆有Bi2Te3或Bi晶体薄膜（作为可饱和吸收体SAs）的光纤锥进行被动调Q的环形铒光纤激光器的工作模式。通过局部化学蚀刻标准SMF-28光纤的二氧化硅反射包层，制备出直径10-15微米、长度5-10毫米的光纤锥。利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在光纤锥表面合成纳米级纯Bi和Bi2Te3岛状薄膜，随后覆盖两种聚合物：聚醋酸乙烯酯（PVA）或聚二甲基硅氧烷弹性体（PDMSE）。将涂覆聚合物SA的光纤段与有源光纤段串联安装于环形激光腔中。所有样品均在约1560纳米波长处观察到稳定的微秒级脉冲调Q输出。据我们所知，这是首次实现以纳米级Bi薄膜作为可饱和吸收体的被动调Q光纤激光器。研究发现，周围介质温度的微小升高会导致涂覆SA薄膜的光纤锥透射系数显著增加，这可能源于聚合物折射率的降低。其中PVA涂覆的光纤锥（其折射率高于熔融石英）在升温时透射系数的增幅最为显著。
关键词： 金属有机化学气相沉积、Q开关、聚合物涂层、可饱和吸收体、Bi2Te3（碲化铋）、光纤激光器、铋
更新于2025-09-19 17:13:59
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一种作为高效耐用柔性钙钛矿太阳能电池新型卓越对电极材料的Bi?Te?拓扑绝缘体
摘要： 倒置柔性钙钛矿太阳能电池（PSCs）通常采用昂贵的金属作为对电极，这些金属既脆又易被钙钛矿腐蚀，在持续弯曲、空气暴露、热应力或光照条件下会导致性能急剧下降，最终阻碍商业化进程。本研究采用简单的热蒸发工艺，使用低成本Bi2Te3对电极。所得器件实现了18.16%的优异光电转换效率，位居已报道效率前列，远高于对照Ag PSC（15.90%）。性能提升应归因于Bi2Te3拓扑绝缘体固有的电子背散射抑制效应。同时，Bi2Te3器件展现出显著增强的机械柔韧性和长期运行稳定性。该策略将为未来柔性光伏应用商业化开辟新途径。
关键词： 拓扑绝缘体、Bi2Te3、柔性钙钛矿太阳能电池、对电极、CH3NH3PbI3
更新于2025-09-11 14:15:04
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In/Bi2Se3、In/Bi2Te3和In/Bi2(Se0.2Te0.8)3界面反应
摘要： Bi2(Se,Te)3是最常用的N型热电材料。首次系统测定了In/Bi2Se3和In/Bi2Te3耦合体系在400℃、250℃和200℃，以及In/Bi2(Se0.2Te0.8)3耦合体系在250℃下的界面反应。所有耦合体系均观察到显著界面反应。反应温度降低时反应速率减缓，其中In/Bi2Te3耦合体系的反应最快，In/Bi2Se3耦合体系最慢。反应5分钟后，In/Bi2Te3耦合体系在400℃、250℃和200℃的反应层厚度分别为439微米、44微米和14微米。确定了这些耦合体系的反应相及反应路径。在250℃反应的In/Bi2(Se0.2Te0.8)3耦合体系中，反应路径为液态(In)/In4(Se,Te)3/液态/(Bi2)m(Bi2(Se,Te)3)n/Bi2(Se0.2Te0.8)3。在400℃和250℃时，Se和Te是耦合体系中扩散最快的物质，反应路径主要受Se和Te扩散速度控制。但当反应温度降至200℃时，Se和Te的扩散速率显著降低，不再成为耦合体系中的主导扩散物质。
关键词： Bi2(Se0.2Te0.8)3，界面反应，铟，Bi2Te3，Bi2Se3
更新于2025-09-10 09:29:36
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在烧结后的纯n型Bi2Te3合金中实现晶格热导率降低和电导率增强
摘要： 未掺杂的n型Bi2Te3块体材料通过液态调控（LSM）工艺结合后续球磨和放电等离子烧结制备而成。与未经LSM处理的样品相比，经LSM处理的样品具有更高的载流子浓度和更大的有效质量，展现出更优异的电输运性能。更重要的是，由于层级微结构（包括晶界、纳米晶粒和位错）增强了多尺度声子散射，其晶格热导率显著降低至0.47 W m-1 K-1（降幅达43%）。此外，载流子浓度的提升和带隙的扩大有效抑制了BT-LSM样品中的双极效应。最终，经LSM处理的样品在475 K较高温度下实现了zTmax*0.66，较对比样品提升了近22%。
关键词： 放电等离子烧结、热电材料、电导率、热导率、液态操控、球磨法、Bi2Te3
更新于2025-09-09 09:28:46