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oe1(光电查) - 科学论文

18 条数据
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  • 图像传感器的功率效率优值

    摘要： 基于理论建立了一种新的优值指标（FoM），该指标仅需通过像素阵列尺寸、帧率和总功耗即可比较不同图像传感器的功率效率。研究提供了该优值指标的数学基础，使其能够适用于支持多种读出配置的通用图像传感器。该模型假设构建模块的功耗与工作频率之间存在非线性关系，并基于图像传感器的解析建模数值推导出该非线性因子。将该优值指标应用于1999至2018年的研究成果，既明确了技术改进趋势，也直观展现了发展历程中的若干突破性进展。

    关键词： 建模、CMOS图像传感器（CIS）、能效、优值系数（FoM）、功耗

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 用于高速低延迟眼动追踪的CMOS图像传感器

    摘要： 眼动追踪（即检测用户注视位置）被视为一种新型用户界面技术，其中包含被称为"扫视"的快速眼球运动现象。然而，传统图像处理系统因处理时间长、存在延迟，难以实时追踪与扫视速度相匹配的眼球运动。本文阐述了一种具备高速低延迟特性的眼动追踪CMOS图像传感器设计方案及其评估结果。

    关键词： 扫视，CMOS图像传感器，列并行架构，眼动追踪

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于可见光通信的机器学习光学条形码检测与识别方法

    摘要： 近年来，可见光通信（VLC）发展迅速。该技术具有高保密性、低成本等优势，有望成为连接线上线下（O2O）的有效途径。本文提出一种基于机器学习的可见光通信RGB-LED-ID检测识别方法。区别于传统编解码式VLC，我们开发了具有调制与识别形态的新型VLC系统：通过互补金属氧化物半导体（CMOS）传感器和脉冲宽度调制（PWM）方法，为不同LED创建差异化特征以构建光学条形码（OBC）。采用图像处理提取特征后，引入支持向量机（SVM）和人工神经网络（ANN）作为分类器。实验表明，该方法能生成海量唯一LED-ID且具有高识别率，在黑暗环境和远距离场景下的性能显著优于传统二维码。这是VLC首次应用于物联网领域，也是RGB-LED特征生成的开创性应用。随着摄像技术进步，唯一LED-ID数量及最大可识别距离将持续提升，该方案未来可作为二维码的有效补充。

    关键词： CMOS图像传感器、机器学习、图像处理、RGB-LED、可见光通信（VLC）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • （特邀）利用直接键合技术对烃类分子离子注入硅晶圆进行邻近吸杂设计以用于先进CMOS图像传感器：综述

    摘要： 我们采用碳氢分子离子注入与表面活化直接晶圆键合（SAB）技术，开发出适用于先进CMOS图像传感器的高吸杂能力硅晶圆。研究发现这种新型晶圆具有三大独特特性可提升CMOS图像传感器器件性能：其一是在CMOS器件制造过程中，碳氢离子注入投影区域能有效吸除金属杂质；其二是具备氧外扩散阻挡效应，该晶圆可控制CZ法生长硅衬底在热处理时向器件有源区的氧外扩散；其三是氢钝化效应——氢能钝化从碳氢离子注入投影区域向外扩散至器件有源区、并存在于Si/SiO2栅氧化层界面态的缺陷。此外，我们证实该新型晶圆在实际器件制造中能有效降低pn结漏电流。

    关键词： CMOS图像传感器、碳氢分子离子注入、表面活化直接晶圆键合、吸杂能力、氧外扩散阻挡层、氢钝化

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 上海 (2018.8.8-2018.8.11)] 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 超薄高像素CMOS图像传感器?？榈姆⒄?

    摘要： 本文系统报道了超薄高像素CMOS图像传感器（CIS）模块在基板设计、工艺开发、材料选择及可靠性测试方面的进展。所开发的超薄芯片级封装（SCSP）可在不牺牲可靠性的前提下，将CIS模块厚度大幅降低至0.4毫米。

    关键词： 超薄芯片级封装，CIS?？?，CMOS图像传感器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 高总电离剂量水平下CMOS图像传感器技术的辐射硬度比较

    摘要： 研究了制造工艺对CMOS图像传感器在MGy级总电离剂量下辐射诱导退化效应的影响。此外，据我们所知首次评估了部分钉扎光电二极管在中高总电离剂量下的脆弱性。结果表明：3T标准部分钉扎光电二极管在辐照前具有最低暗电流，但在10kGy(SiO2)时其暗电流增至~1pA，超过10kGy(SiO2)后像素功能丧失。通过对比多种CIS技术发现，制造工艺会影响两种主要辐射诱导退化现象——读出链MOSFET的阈值电压漂移和暗电流增加。在所有测试技术中，1.8V MOSFET表现出更低的阈值电压漂移，N型MOSFET具有最佳抗辐射性。所有受测器件中，1.8V传感器实现了最优暗电流性能。为深入理解极端总电离剂量下CIS的抗辐射加固，我们在MGy量级评估了多种"设计即抗辐射"解决方案。

    关键词： 栅极重叠、辐射效应、漏极、CMOS图像传感器、部分钉扎光电二极管、暗电流、总剂量辐照（TID）、阈值电压漂移、抗辐射硬件设计（RHBD）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于CMOS的成像芯片制造，集成单晶RGB与近红外滤光片

    摘要： 近期多光谱相机的发展表明，通过在商用图像传感器上单片集成滤光片，可以制造出紧凑且低成本的光谱传感器。本文描述了此类单芯片成像系统的一种RGB+NIR变体的制造过程，包括集成金属屏蔽层以最小化串扰，以及两个干涉滤光片：一个NIR阻挡滤光片和一个NIR带通滤光片。然后将其与标准聚合物基RGB彩色滤光片相结合。该芯片的制造在imec的200毫米洁净室中使用标准CMOS技术完成，但RGB彩色滤光片和微透镜的添加是外包的。

    关键词： 多光谱成像、RGB、近红外、CMOS图像传感器、单片集成、光学滤波器

    更新于2025-09-23 18:50:05

  • [IEEE 2019年第二届高电压工程与电力系统国际会议（ICHVEPS）- 印度尼西亚巴厘岛登巴萨（2019.10.1-2019.10.4）] 2019年第二届高电压工程与电力系统国际会议（ICHVEPS）- 基于NodeMCU ESP8266和安卓应用的1千瓦光伏系统在线监测物联网应用

    摘要： 首次展示了具有光子计数能力的量子图像传感器。该低压器件在单次读取时无需使用雪崩增益即可实现小于0.3e-均方根的读出噪声，并观测到单电子信号量化现象。同时提出了一种测定读出噪声和转换增益的新方法。

    关键词： 低读出噪声，CMOS图像传感器，高转换增益，量子图像传感器，点记录器件，光子计数

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第62届国际中西部电路与系统研讨会(MWSCAS) - 美国德克萨斯州达拉斯市(2019.8.4-2019.8.7)] 2019年IEEE第62届国际中西部电路与系统研讨会(MWSCAS) - 一款具有宽图像动态范围和共享电极的CMOS 256像素自光伏供电视网膜下假体芯片及其在Rd1小鼠上的离体实验结果

    摘要： 提出并制造了一种用于视网膜下假体的自供光伏CMOS 256像素植入芯片，具有宽图像动态范围和共享电极特性。红外光仅照射芯片的光伏电池，而可见光主要照射像素单元。采用所提出的自适应背景消除电路(ABCC)来扩大图像动态范围，使视网膜下芯片能适应不同环境照度。此外，双向共享电极(BDSEs)可在相同芯片面积下增大电极尺寸，并将刺激电荷提升至11.4纳库仑。通过电学测量及Rd1小鼠视网膜离体膜片钳实验，成功验证了芯片功能。

    关键词： 视网膜下假体、CMOS图像传感器、可植入芯片

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019年第21届透明光学网络国际会议(ICTON) - 法国昂热(2019.7.9-2019.7.13)] 2019年第21届透明光学网络国际会议(ICTON) - 用于片上无线通信的介质与等离子体Vivaldi天线

    摘要： 首次展示了具有光子计数能力的量子图像传感器。该低压器件在单次读取时无需雪崩增益即可实现小于0.3电子均方根的读出噪声，并观测到单电子信号量化现象。同时提出了一种测定读出噪声和转换增益的新方法。

    关键词： CMOS图像传感器、高转换增益、低读取噪声、光子计数、点器件、量子图像传感器

    更新于2025-09-19 17:13:59