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oe1(光电查) - 科学论文

44 条数据
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  • 一种基于CdSe@ZnS量子点/银纳米簇杂化材料的新型H2O2荧光探针

    摘要： 过氧化氢（H2O2）的选择性和定量检测对其在生理、环境和工业应用中的使用具有重要意义。本文基于H2O2介导的银纳米团簇（AgNCs）刻蚀过程对CdSe@ZnS量子点（QDs）的荧光猝灭作用，建立了一种灵敏且选择性高的H2O2检测策略。该策略中，采用二氢硫辛酸（DHLA）修饰的AgNCs作为H2O2响应基团，H2O2的存在可引发AgNCs的氧化并产生Ag+，从而导致CdSe@ZnS QDs的有效荧光猝灭?；诖瞬呗?，本荧光分析法可实现H2O2的定量检测，在最优条件下检测限计算为0.3 mM。此外，基于CdSe@ZnS/AgNCs杂化探针用于牛奶样品中H2O2的检测，显示出良好的回收率结果（95.8%至112.0%），表明该策略具有潜在的应用价值。

    关键词： 过氧化氢检测、银纳米团簇、荧光猝灭、CdSe@ZnS量子点

    更新于2025-11-19 16:46:39

  • 过渡金属纳米杂化物作为异质结构量子点敏化太阳能电池的高效稳定对电极：一项尝试

    摘要： 第三代太阳能电池中，对电极是关键组件。本研究探索了一种简单策略：利用石墨烯的同构类似物——二维二硫化钼与硫化铜形成纳米杂化材料作为对电极。由CdSe/CdS量子点构成的异质结构光阳极与这种纳米杂化对电极相结合，显著提升了电流密度和开路电压。由于协同效应，所设计的异质结构和对电极表现出优异性能与良好稳定性，为量子点太阳能电池实现高效率带来了新希望。

    关键词： 霍尔效应、CuS-MoS2纳米杂化物、CdSe/CdS异质结构、迁移率

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • PbS/CdS和PbSe/CdSe核壳量子点中的声子驱动能量弛豫

    摘要： 我们研究了化学成分对核/壳量子点（QDs）中声子介导的激子弛豫的影响，该量子点具有1纳米的PbX核和单层CdX壳层，其中X=S和Se。为此，基于密度泛函理论（DFT）和表面跳跃技术的时间域非绝热动力学（NAMD）被应用。模拟显示，由于与硫阴离子结构中较高能光学声子的主导耦合，PbS/CdS中的能量弛豫比PbSe/CdSe快两倍。对于这两种量子点，与核壳界面相关的长寿命中间态主导了动力学过程。因此，简单的指数模型并不适用，建议采用四态不可逆动力学模型，分别预测PbSe/CdSe和PbS/CdS量子点的弛豫速率为0.9皮秒和0.5皮秒。因此，具有单层壳的2纳米PbSe/CdSe量子点展现出足以使载流子倍增超过能量耗散的声子介导弛豫时间，从而有利于提高太阳能转换效率。

    关键词： 密度泛函理论，声子驱动的能量弛豫，PbSe/CdSe，PbS/CdS，核/壳量子点，表面跳跃技术，非绝热动力学

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 核壳型II类量子点结构的非线性光学特性

    摘要： 本研究中，采用滴加法合成了CdSe/CdTe II型量子点(QDs)。通过紫外-可见吸收光谱、光致发光(PL)光谱、透射电子显微镜和z扫描技术对核/壳纳米晶进行了表征。利用800 nm波长不同激光强度下的飞秒(fs) z扫描方法研究了各类量子点的非线性特性。fs激光z扫描实验装置用于测定双光子吸收系数(β≈10?12 cm/W)和非线性光学克尔系数(n?≈10?2? cm2/W)?；谄咧植煌?壳QDs在不同激光强度下的β和n?值，计算了三阶极化率(X(3))的虚部和实部。研究发现CdSe/CdTe II型量子点的三阶极化率约为10?12 esu。

    关键词： 飞秒Z扫描，CdSe/CdTe，II型量子点

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用CdS/CdSe/CdS量子点作为中间层的高效全无机CsPbBr<sub>3</sub>钙钛矿太阳能电池

    摘要： 高效全无机钙钛矿太阳能电池需要CsPbBr3到TiO2的快速电荷转移以减少陷阱态复合。本文通过在TiO2与CsPbBr3层间插入CdS/CdSe/CdS量子点(QD)层制备全无机钙钛矿太阳能电池。通过调节CdS/CdSe/CdS量子点中CdSe层的厚度，可将导带(CB)能级调控至-3.72~-3.87 eV。插入量子点中间层后，TiO2与CsPbBr3的导带能级偏移减小，使电荷转移速率从0.040×10^9提升至0.059×10^9 s^-1。含量子点中间层的太阳能电池功率转换效率(PCE)达8.64%，较无量子点器件提高20%。

    关键词： CdS/CdSe/CdS量子点，功率转换效率，电荷转移，全无机钙钛矿太阳能电池

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 倒置聚合物太阳能电池中CdSe和CdSe@ZnS量子点中间层的耦合功能

    摘要： 我们展示了利用CdSe量子点（QDs）作为中间层来提升倒置聚合物太阳能电池（iPSCs）的光伏性能。在聚乙氧基乙烯亚胺（PEIE）聚合物与PTB7:PC71BM混合层之间引入CdSe及CdSe@ZnS核壳结构量子点，通过福斯特共振能量转移（FRET）和高效电荷传输显著提升了短路电流密度。强烈的相互荧光猝灭现象表明，PTB7:PC71BM吸收的光子能量被有效转移至量子点。采用CdSe量子点中间层的PTB7:PC71BM基iPSCs实现了8.13%的更高光电转换效率，较对照器件提升13.4%。而使用CdSe@ZnS量子点中间层的器件表现出相对较低的7.31%效率，这可能源于ZnS壳层较高能级导致的量子点内部载流子复合增加。因此，CdSe量子点中间层增强光伏性能的机理可归因于FRET效应促进的有效电荷传输及整体光电流提升。

    关键词： 载流子传输、共振能量转移、量子点、倒置聚合物太阳能电池、CdSe、能级排列

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 聚合物包覆对光子多核壳量子点CdSe/CdS/ZnS的影响：阳光作用与抗菌活性

    摘要： 采用无?；て盏那扒遄⑷敕ǎㄎ扌桁⑹约粒?，在石蜡液体和油酸中制备了高发光性的CdSe/CdS/ZnS核-多壳量子点(QDs)。通过聚合物(PEG、PVA、PVP和PAA)包覆CdSe/CdS/ZnS核-多壳量子点以提高其稳定性。光致发光光谱显示，这种核-多壳结构量子点通过抑制缺陷敏感核和非辐射复合，在355-410 nm范围内表现出增强的发射。XRD证实获得了晶粒尺寸为22-44 nm的立方闪锌矿结构量子点。所有样品的吸收光谱表明其在302-380 nm紫外区域具有吸收特性。FT-IR光谱中712、731及400-700 cm?1波段分别对应CdSe、CdS和ZnS的键伸缩振动。SEM图像显示CdSe、CdSe/CdS和CdSe/CdS/ZnS量子点呈球形，而不同聚合物(PEG、PVA、PVP和PAA)包覆的量子点则呈现线性均匀的纳米纤维形态（尺寸范围12-38 nm）。这些制备的量子点在可见光下放置48小时后，经紫外光照射后其UV-vis强度增强范围达389-464 nm，发射强度增强范围达492-509 nm（经UV和PL光谱确认）。带有有机配体的CdSe/CdS/ZnS量子点对肺炎克雷伯菌和铜绿假单胞菌表现出广谱抗菌活性。

    关键词： CdSe/CdS/ZnS、光致发光、聚合物包覆、量子点、抗菌活性

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 混合荧光液晶复合材料：量子点在液晶嵌段共聚物基质中的定向组装

    摘要： 含有无机量子点(QDs)的混合荧光液晶(LC)复合材料是光学、纳米光子学和显示技术领域中极具前景的材料，它兼具量子点的优异发光性能与液晶可外部调控的光学特性。本研究通过两阶段配体交换工艺，将CdSe/ZnS量子点嵌入具有不同结构的一系列主链液晶嵌段共聚物中，制得混合液晶复合材料。由向列相苯甲酸苯酯丙烯单体单元和能与量子点表面结合的聚(4-乙烯基吡啶)嵌段组成的ABA/BAB三嵌段共聚物及不同聚合度的AB二嵌段共聚物，其复合薄膜中量子点的空间分布及量子点聚集体的形成都可通过改变主体嵌段共聚物结构进行程序化调控。所得复合材料形成向列相液晶相，其各向同性温度接近初始主体嵌段共聚物。此外还考察了主体嵌段共聚物分子结构对复合材料荧光性能的影响。这种量子点组装策略为设计高度有序的层级混合材料提供了可靠常规途径，适用于诸多实际应用场景。

    关键词： 液晶嵌段共聚物基质、配体交换过程、荧光特性、CdSe/ZnS量子点、向列相液晶相、混合荧光液晶复合材料、量子点

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 利用CdSe量子点信号放大的香蕉束顶病毒阻抗检测

    摘要： 香蕉束顶病毒被认为是对香蕉最具经济破坏性的病原体之一，在全球包括印度的香蕉种植园中造成严重经济损失。本研究开发了一种改进的电化学ELISA方法用于检测香蕉束顶病毒（BBTV）。为提高检测的准确性和灵敏度，我们采用硒化镉（CdSe）量子点（QDs）作为信号放大剂。实验使用针对BBTV重组外壳蛋白制备的初级抗体进行。CdSe量子点能显著增强该检测中的电信号，使该方法适用于实验室应用。电导率测试结果显示健康与染病样本间的阻抗差异约为100欧姆。与传统ELISA的1:10稀释度相比，电化学ELISA可在1:25稀释度的植物汁液中检测到该病毒。

    关键词： 法拉第阻抗谱、硒化镉量子点（CdSe QDs）、香蕉束顶病毒

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于氯化处理的CdTe/CdSe II型量子点的高效近红外发光二极管

    摘要： 量子点发光二极管（QLEDs）被视为新一代显示与固态照明应用中最具前景的光源候选技术。特别是基于II-VI族量子点的可见光QLEDs已满足上述应用需求，但相应近红外（NIR）QLEDs的光电性能仍远落后于可见光器件。本研究展示了基于氯处理CdTe/CdSe II型量子点的高效近红外QLEDs：当量子点PL峰位于788 nm时，经氯处理的器件最大辐射率与峰值外量子效率（EQE）较未处理器件分别提升24.5%和26.3%，达到66 mW/cm2和7.2%。值得注意的是，氯处理后器件在0.3-250 mA/cm2电流密度范围内可维持>5%的EQE。与过渡金属配合物基近红外LED相比，氯处理CdTe/CdSe基近红外QLED的效率滚降得到一定程度抑制。在优化条件下，PL峰分别为744 nm、852 nm和910 nm的氯处理CdTe/CdSe器件峰值EQE分别达到7.4%、5.0%和1.8%。性能提升主要归因于氯表面配体——其不仅提高了载流子迁移率并减少载流子积累，还增强了量子点层内电子-空穴辐射复合概率。

    关键词： QD，CdTe/CdSe，氯化物，近红外，电致发光

    更新于2025-09-23 15:19:57