CuInGaTe2的合成与电输运特性

摘要： 采用特殊改进的布里奇曼晶体生长技术合成了铜铟镓二碲化物（CIGT）单晶。X射线衍射图谱清晰显示为单相结构。我们首次在143-558K温度范围内测定了CuInGaTe2单晶的电导率σ(T)、霍尔系数RH(T)随温度的变化关系?；舳凳姆胖な笛烦氏謕型导电特性。通过直观有效的图表展示了电导率、霍尔系数、霍尔迁移率及载流子浓度的温度依赖性。研究表明CuInGaTe2单晶具有0.64-0.85eV的能带间隙（或称"输运势垒"）。根据电导率和载流子浓度数据，确定该p型样品的受主能级约为0.027eV。基于实验数据，估算了该晶体材料的主要基础物理常数及其他参数。