通过温度和激光功率依赖的光致发光光谱研究宽带隙Cu?CdGeS?微晶中的点缺陷

摘要： 我们对高质量宽带隙Cu2CdGeS4微晶进行了温度与激光功率依赖的光致发光（PL）研究。在T=10K时检测到三个PL谱带，分别位于约1.919eV（#1）、1.855eV（#2）和1.748eV（#3）。温度与激光功率依赖性表明，这些PL谱带的特性可通过施主-受主对模型解释：其中#1和#2谱带源自涉及≈30meV能级差及不同深施主缺陷的远距离对复合；#3谱带则与相同浅受主VCu的EA谱带相关，起源于深施主-深受主对的复合过程，该深受主缺陷的能级深度超过157meV。PL光谱的详细分析显示该材料不存在深势阱或带隙波动，因而适用于光伏应用。