标题
- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
中文（中国）
▾
-
纳米电子学与材料发展 || 外延Cu3Ge薄膜：制备、结构与性能
摘要： 本文对外延生长Cu3Ge薄膜的制备及其电学特性进行了表征。通过调节沉积参数，提高了原位生长Cu3Ge薄膜的结晶度，并在其中形成了孪晶结构。测得外延Cu3Ge薄膜的平均功函数约为4.47±0.02 eV，使其成为互补金属氧化物半导体（CMOS）器件中理想的中带隙栅极金属。本研究因此展示了一种具有应用前景的外延Cu3Ge薄膜。
关键词： 蓝宝石、半导体金属化、Cu3Ge薄膜、脉冲激光沉积、孪晶
更新于2025-09-09 09:28:46