标题
- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
中文（中国）
▾
-
具有原子级陡峭界面的EuO(111)/Si(111)自旋过滤隧道结中的自旋分裂
摘要： 我们通过分子束外延技术在硅(111)衬底上生长铁磁EuO材料，展示了自旋分裂势垒中的隧穿现象。对于具有高晶体质量和原子级清晰界面的6纳米厚EuO薄膜，在35K居里温度以下，我们发现自旋分裂导致势垒高度降低。我们在20K时测得分裂能为0.56±0.03电子伏特，由此产生的自旋极化率超过90%。
关键词： 分子束外延、原子级锐利界面、EuO(111)/Si(111)、自旋分裂、自旋过滤隧道结
更新于2025-09-04 15:30:14