在锗衬底上生长的GaSb/GaAs量子点的光致发光特性与生长机制的关系

摘要： 本工作采用光致发光（PL）光谱技术研究自组装GaSb/GaAs量子点（QDs）的生长机制依赖性。通过激发功率和温度相关的PL测量，探究了载流子转移（即量子点内的载流子复合及通过势垒层的逃逸）特性。量子点峰能从1.23 eV急剧蓝移至1.30 eV并进一步移动到1.33 eV，揭示了GaSb生长速率与生长温度对这些量子点光学性质的影响。通过将量子点峰的积分PL强度拟合阿伦尼乌斯关系，从温度相关的PL数据中提取出热激活能。在450°C下以0.1单层/秒生长速率制备的量子点具有更高的热激活能（109 meV），高于低生长速率及高量子点生长温度条件下制备的样品。观测到的PL特性从量子点尺寸、量子点均匀性以及缓冲层和盖层生长过程中发生的材料互混等方面进行了讨论。