P-9.5：微LED与2T1C结构HEMT的均匀集成方法

摘要： 显示屏是我们生活中不可或缺的一部分。作为新兴显示技术，Micro-LED（微型发光二极管）正与OLED（有机发光二极管）和QLED（量子点发光二极管）竞争，力求成为显示行业下一代主流显示技术。凭借高分辨率、高亮度、高响应频率、高稳定性、低功耗等优势，Micro-LED具有广阔的应用前景?；贕aN的高电子迁移率晶体管（HEMT）也因其高电子迁移率成为研究热点。由于采用相同材料，二者具备集成可能性。本文提出了一种2T1C（2个晶体管和1个电容）结构HEMT驱动电路与Micro-LED的同质集成方法，并通过Silvaco软件进行了仿真。