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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 基于磷化铟的2微米波长应用高速光电二极管设计

    摘要： 本文提出并设计了一种工作波长超过2微米的高速单行载流子光电二极管。采用InGaAs/GaAsSb II型多量子阱（MQWs）作为单行载流子光电二极管的吸收区以实现2微米以上的光学响应。我们建立了速率方程模型来研究该光电二极管的带宽特性，分析了载流子扫出过程的载流子动力学行为，并对量子阱结构参数进行了优化。结果表明，经优化设计后可实现超过40GHz的3dB带宽。同时研究了采用MQWs吸收区的双耗尽PIN（DD-PIN）光电二极管的可行性，在较高偏置条件下，优化的DD-PIN光电二极管可获得相近的带宽性能。

    关键词： 高速光电二极管，II型量子阱，载流子动力学，单行载流子光电二极管

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 用于紫外激光二极管的II型AlInN/ZnGeN?量子阱

    摘要： 我们提出一种II型AlInN/ZnGeN?量子阱（QW）结构作为紫外（UV）激光二极管的发光区。采用这种II型AlInN/ZnGeN?量子阱结构可实现极低的阈值电流密度，为研制电驱动氮化物基半导体紫外激光二极管提供了可行途径。ZnGeN?与GaN具有非常相近的晶格常数和带隙，其与GaN之间的大带阶差使其有望作为空穴限制层来增强发光区电子-空穴波函数重叠度。本研究探究了不同ZnGeN?层厚度的II型AlInN/ZnGeN?量子阱的自发辐射和增益特性。结果表明：在发光区采用ZnGeN?层能显著改善空穴载流子限制效果，使电子-空穴波函数重叠度提升约5倍。这种增强效应可使自发辐射速率和材料增益大幅提高约6倍，同时与传统AlGaN基量子阱设计相比阈值载流子浓度显著降低——这些特性对实现实用化紫外激光二极管至关重要。

    关键词： 紫外激光二极管、材料增益、AlInN/ZnGeN2、II型量子阱、自发辐射

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [IEEE 2018年亚洲通信与光子学会议(ACP) - 杭州 (2018.10.26-2018.10.29)] 2018年亚洲通信与光子学会议(ACP) - InGaAs/GaAsSb II类量子阱PIN光电二极管的速度特性

    摘要： 演示了一种用于2微米波长高速应用的正常入射InGaAs/GaAsSb II型量子阱PIN光电二极管。结果表明，该器件具备2微米高速工作能力，其3dB带宽达到2.93 GHz。

    关键词： II型量子阱，高速光电二极管

    更新于2025-09-11 14:15:04