III-Sb纳米线的最新进展：从合成到应用

摘要： III-V族半导体因其优异特性，成为下一代电子与光电子器件的理想候选材料。其纳米线形态进一步提供了独特的几何结构与量子限域效应，有利于多种应用场景。在众多III-V族半导体中，III-锑化物纳米线因其窄直接带隙和高载流子迁移率而备受关注。然而受纳米线制备难度限制，该类材料及其应用发展始终滞后于其他III-V族半导体。近年来，随着制备技术的进步与机理认知的深化，基于III-锑化物纳米线的新型高性能电子/光电器件相继问世。本综述重点探讨不同技术路线对III-锑化物纳米线合成的发展——包括晶体结构与组分的精细调控策略，以及异质结构构建方法。在此基础上，系统梳理了该材料在电子与光电子领域的最新应用进展。这些讨论将为新一代器件用III-锑化物纳米线的设计提供重要指导。