新型苯并二噻吩类低带隙聚合物太阳能电池的应用及采用原子层沉积封装技术的器件稳定性研究

摘要： 通过溶剂蒸发技术合成了一种新型苯并二噻吩类共聚物。采用常规封装和原子层沉积（ALD）技术对聚[5-(5-(4,8-双(2-乙基己氧基)苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-2-基)噻吩-2-基)-2,3-双(3,4-双(癸氧基)苯基)-8-(噻吩-2-基)喹喔啉]（P-TQTBDT）太阳能电池进行封装。通过核磁共振（NMR）、凝胶渗透色谱（GPC）和循环伏安法（CV）对样品进行表征。为比较商用P3HT与我们新型聚合物太阳能电池的稳定性，同时对P3HT和P-TQTBDT太阳能电池开展稳定性研究。结果表明：在AM1.5G太阳光照射300小时内，采用ALD封装技术的P-TQTBDT电池稳定性从38%提升至72%，证实ALD是极具前景的聚合物太阳能电池封装技术。两种封装方式下，P-TQTBDT太阳能电池均比P3HT太阳能电池表现出约10%的更高稳定性。我们重点研究了ALD封装技术对提升聚合物太阳能电池稳定性的作用，旨在对比P-TQTBDT与P3HT太阳能电池。P-TQTBDT的稳定性结果表明该共聚物有望成为实现聚合物太阳能电池超高稳定性的理想材料。