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[2018年IEEE超大规模集成电路技术研讨会 - 美国夏威夷檀香山（2018.6.18-2018.6.22）] 2018年IEEE超大规模集成电路技术研讨会 - 记录显示47 mV/dec自上而下垂直纳米线InGaAs/GaAsSb隧穿场效应晶体管
摘要： 展示了具有亚阈值摆幅（SS）低至47 mV/dec的袋状垂直纳米线InGaAs/GaAsSb隧穿场效应晶体管（TFET）。所实现的亚阈值性能是迄今III-V材料体系自上而下工艺TFET中报道的最陡峭值。采用基于CH4的干法刻蚀工艺实现了直径窄至30 nm的平滑垂直纳米线。在0.35 V供电电压下，当固定关态电流Ioff为1 nA/μm时，驱动电流接近0.7 μA/μm。
关键词： 隧道场效应晶体管、InGaAs/GaAsSb、垂直纳米线、亚阈值摆幅、III-V族材料体系
更新于2025-09-04 15:30:14