基于InP(001)衬底的近1.8微米InAsSb量子点激光器室温工作

摘要： 报道了一种基于InP(001)衬底、通过金属有机气相外延生长的单层InAsSb自组装量子点条(QDashes)激光器。在优化的生长条件（如衬底温度、生长速率、沉积厚度及V/III比）下获得了高质量InAsSb量子点条。通过原子力显微镜表征了表面量子点条形貌，并利用高分辨透射电镜结合X射线能量色散谱分析了埋于有源区内的量子点条以确认锑组分。采用标准光刻和湿法刻蚀工艺制备了脊宽40微米的双沟道波导激光器。室温脉冲工作显示不同注入电流下波长范围为1.72至1.79微米。此外，激光器峰值输出功率可超过600毫瓦，微分量子效率达12.8%，即使在连续波工作状态下最大光功率仍保持26毫瓦。