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oe1(光电查) - 科学论文

21 条数据
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  • [IEEE 2018年第18届天线技术与应用电磁学国际研讨会(ANTEM) - 安大略省滑铁卢市 (2018.8.19-2018.8.22)] 2018年第18届天线技术与应用电磁学国际研讨会(ANTEM) - 利用腔体微扰技术表征Ka波段电介质材料

    摘要： 采用微扰技术对介质材料的介电常数和介电损耗特性进行仿真表征。该技术的工作频率已扩展至Ka波段。仿真结果表明，这种微扰技术适用于毫米波频段高介电常数介质材料的表征，并能保持良好的精度。

    关键词： 介电损耗测量、介电常数测量、腔体微扰技术、介电材料、Ka波段

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 法属圭亚那Ka波段传播实验：首年测量数据

    摘要： 法国航空航天研究院（ONERA）与法国国家空间研究中心（CNES）目前正在法属圭亚那库鲁的圭亚那航天中心（CSG）开展Ka波段传播实验。实验部署了雨量计和能够记录亚马逊3号卫星20.2GHz信标信号的接收机。该设备自2017年1月1日投入运行，实验周期设定为三年。本文分析了首年测量数据（2017年1月至12月）的部分成果，展示了降雨率和雨衰的年度/月度互补累积分布函数，并与ITU-R P.618-13建议书推荐的雨衰预测方法进行了对比。

    关键词： 赤道地区，Ka波段，卫星通信，传播，测量

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE国际电磁学研讨会：应用与学生创新竞赛(iWEM) - 名古屋(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE国际电磁学研讨会：应用与学生创新竞赛(iWEM) - 飞机用低剖面电扫阵列天线研发

    摘要： 对飞机上人员更好的手机和互联网接入需求不断增长。日本国立信息通信研究机构（NICT）研发了用于支线喷气式飞机的Ka波段高性能有源电子扫描阵列（AESA）天线。本报告展示了作为飞机AESA发射端配置基础研究而制造的16单元阵列天线及其评估结果。

    关键词： 飞机，有源电子扫描阵列（AESA）天线，Ka波段

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年中国国际合成孔径雷达研讨会（CISS）- 上海（2018.10.10-2018.10.12）] 2018年中国国际合成孔径雷达研讨会（CISS）- 一种InSAR演示器用紧凑型Ka波段天线系统设计

    摘要： 本文介绍了一种为InSAR应用演示器设计的紧凑型低剖面Ka波段天线系统。该系统主要包含三个?？椋禾煜哒罅?、接收机组件和校准网络。横轨天线由2个面板阵列组成，每个尺寸为454×49.8毫米；纵轨天线包含8个面板阵列，每个尺寸为227.4×22.4毫米。所有阵列均为固定波束天线，每个阵列连接一个接收机组件，共形成10个有源通道。天线采用窄边波导缝隙作为辐射单元，每个面板阵列由多个小型线性子阵列构成，其尺寸经过优化以实现高实现增益。天线阵列与接收机组件的连接通过波导直接实现，而非使用损耗较大的SMP连接器，接收机组件可紧密贴合在面板阵列背面以提高集成度。内部校准网络与馈电网络共同集成在天线背面。整个系统作为演示器结构紧凑，可扩展为大规模系统，能便捷满足未来InSAR应用对高性能天线系统的迫切需求。

    关键词： Ka波段、InSAR（合成孔径雷达干涉测量）、天线系统、多通道

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于差分进化算法的Ku/Ka波段宽张角波纹喇叭最优设计

    摘要： 设计并优化了一种覆盖全Ku/Ka卫星通信频段的新型宽张角波纹喇叭。为满足严格的带宽要求，在宽张角喇叭设计中引入了样条曲线轮廓平滑段和带环形加载槽的波纹段。采用差分进化（DE）算法而非"试错法"来获取该喇叭的最优尺寸参数。构建了优化喇叭原型并进行实测，仿真与实测结果均表明该喇叭具有良好的辐射和阻抗性能。作为典型双反射面天线的馈源时，该喇叭的性能也得到验证，仿真结果显示整体天线系统满足常规性能要求。

    关键词： Ku/Ka波段、卫星通信、宽张角波纹喇叭、差分进化算法

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 康普顿自由电子激光器的泵浦系统：微波波荡器与供电源

    摘要： 俄罗斯科学院应用物理研究所（下诺夫哥罗德）目前正在研发可在短波长范围内高效运行、具备高功率水平的康普顿型自由电子激光器（FEL）。该方案旨在降低驱动相对论电子束的能量，从而提升FEL中电子-波相互作用的效率，并使振荡器结构更为紧凑。其核心原理是采用新型微波波荡器——即所谓"飞行"波荡器。本文重点介绍这类波荡器的最新研究成果、仿真分析及Ka波段"冷态"电动力学测试情况。为驱动微波波荡器，研究团队基于Sinus-6强流加速器（粒子能量0.5 MeV、电流5 kA、脉冲宽度25 ns），在指定频段研制出空间扩展的窄带切伦科夫表面波振荡器（SWO）。通过二维双周期慢波结构提供的分布式反馈，在强过模振荡器条件下实现了亚吉瓦级输出辐射功率与窄带振荡模式高稳定性的兼顾。论文给出了32 GHz/0.5 GW SWO的设计参数，并报道了其仿真结果。

    关键词： 飞行扭摆器、Ka波段、切伦科夫表面波振荡器、Sinus-6加速器、微波扭摆器、康普顿型自由电子激光器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用微流控馈电网络的毫米波波束扫描焦平面阵列

    摘要： 引入微流控切换馈电网络以实现毫米波波束扫描焦平面阵列（FPA）。通过可在微流控通道内移动的选择性金属化板（SMP）实现切换功能，该通道紧邻FPA的微带线馈电网络。馈电网络经过策略性设计，形成由SMP金属化层依次覆盖的间隙不连续结构。SMP金属化层与间隙不连续结构之间的电容耦合被设计为具有宽带（约20GHz）切换功能且插入损耗低（IL<0.2dB）。利用传输线理论证明：该馈电网络为32单元线性阵列提供38%的分数带宽，插入损耗≤7dB。该性能较近期报道的基于谐振馈电网络的微流控波束扫描FPA（MFPAs）实现显著提升。通过设计和制造30GHz八单元FPA进行实验验证，实测增益范围20.2-22.6dBi。损耗预算分析证实微流控切换馈电网络具有低损耗特性（≤3dB）。所需微流控驱动行程为4.2mm，比先前工作降低10倍，从而实现更快的波束扫描速度（0.27秒对比先前设计的5.25秒）。首次提出集成式SMP位置检测方法，便于采用闭环位置控制技术应用本MFPAs。

    关键词： 毫米波、微流控技术、焦平面阵列（FPAs）、Ka波段、可重构天线、波束导向

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 美国田纳西州纳什维尔（2019.11.3-2019.11.6）] 2019年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 基于0.15微米砷化镓的紧凑型Ka波段变压器耦合5G功率放大器

    摘要： 本文介绍了一种采用0.15微米砷化镓工艺设计的紧凑型宽带变压器耦合功率放大器。该放大器实现了26.5dBm输出功率、31%功率附加效率及12.6dB小信号增益，具有40%的分数带宽。在无需数字预失真的情况下，该放大器分别能在28GHz频段以6Gb/s和9Gb/s速率放大64-QAM信号时，提供最高21.6dBm和19.9dBm的平均输出功率，且误差矢量幅度(EVM)小于-25dB。据作者所知，这是首次在砷化镓功率放大器中采用变压器耦合匹配网络，相比传统体积庞大的传输线结构，实现了极为紧凑的匹配方案。

    关键词： 5G、功率放大器、毫米波集成电路、变压器耦合、Ka波段

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 采用电流复用和自偏置技术的宽带GaAs pHEMT低噪声驱动放大器

    摘要： 采用0.15微米GaAs pHEMT工艺设计并制造了一款K/Ka波段两级低噪声驱动放大器。为实现低功耗宽带驱动能力，采用电流复用技术使两个晶体管共用同一电源，理论上将总电流消耗减半。同时运用自偏置技术以最小化外部电源焊盘和芯片面积，将供电焊盘数量减至最少（1个电源焊盘和1个地焊盘）。文中还重点针对噪声系数和P1dB指标优化，阐述了电路拓扑分析与设计流程。该低噪声驱动放大器展现出超过11GHz的-3dB带宽、17dB功率增益、2.2dB带内平均噪声系数及6dBm带内平均输出P1dB，工作于3.3V电源时直流功耗仅9.1mA。芯片尺寸为1mm×1.5mm，仅需1个外部直流供电焊盘（3.3V）和1个地焊盘（0V）。与典型双偏置两级低噪声驱动放大器相比，在性能相当的情况下，本款MMIC对体积受限和功耗约束应用场景更具吸引力。

    关键词： Ka波段，赝高电子迁移率晶体管（pHEMT），砷化镓，低噪声驱动放大器，单片微波集成电路（MMIC）

    更新于2025-09-22 19:46:08

  • 适用于5G移动设备的氮化镓MIS-HEMT功率放大器单片微波集成电路

    摘要： 随着各类移动系统数据传输速率的提升，对5G无线通信系统的需求也相应增长。为提高数据传输速率，韩国提出的全球标准高频段之一——28GHz被选用于5G系统。虽然基于氮化镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）因其适用于高输出功率放大器而成为5G网络应用极具前景的候选器件，但典型氮化镓HEMT仅能在?？刺鹿ぷ鳌Ｈ欢?，要实现5G系统移动终端的成功运行，需要能在正栅极偏压下工作的常关器件，这不仅能降低电路复杂度和系统成本，还可应用于数字电路领域。为实现正栅极偏压工作，我们采用ETRI氮化镓MIS-HEMT工艺制备了金属-绝缘体-半导体（MIS）-HEMT器件。通过设计制造MIS-HEMT并测试其性能，除采用栅极凹槽技术外，我们还使用Al2O3栅极绝缘层来调节氮化镓MIS-HEMT的阈值电压。为5G移动终端设计的功率放大器（PA）单片微波集成电路（MMIC）在正栅极偏压下工作，在26和28GHz频段展现出29.5dBm的最大输出功率、11dB的功率增益以及11%的功率附加效率（PAE）。

    关键词： Ka波段、MIS-HEMT、移动手机、功率放大器、氮化镓、5G、增强型模式

    更新于2025-09-23 21:42:18