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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • [2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 美国佛罗里达州米拉马尔海滩(2019.8.19-2019.8.21)] 2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 具有纳米结构表面的超薄MSM光电探测器

    摘要： 光子捕获结构有助于提升超薄金属-半导体-金属（MSM）光电探测器的量子效率（QE），使其在保持小于1微米厚度的同时实现高速响应。研究表明，器件厚度越薄，短脉冲响应时间越短：250纳米厚的硅薄层脉冲响应时间为2皮秒，而400纳米和700纳米厚度的脉冲响应时间分别为3皮秒和5皮秒。具有纳米孔结构的薄层硅量子效率高于同厚度平面硅——250纳米纳米孔硅在850纳米波长下量子效率达60%（同厚度平面硅为20%）；400纳米纳米孔硅为80%（同厚度平面硅为40%）；700纳米纳米孔硅为90%（同厚度平面硅为60%）；1500纳米纳米孔硅为95%（同厚度平面硅为80%）。具有纳米孔结构的薄层硅量子效率均高于同厚度平面硅：250纳米纳米孔硅在850纳米波长下为60%（平面硅20%）；400纳米纳米孔硅为80%（平面硅40%）；700纳米纳米孔硅为90%（平面硅60%）；1500纳米纳米孔硅为95%（平面硅80%）。

    关键词： MSM光电探测器、超薄结构、量子效率、纳米孔、光子捕获

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 采用逆温结晶法制备的金属-半导体-金属CH3NH3PbBr3钙钛矿光电探测器研究

    摘要： 大量研究探讨了钙钛矿材料在制备多种光电器件中的应用。本研究通过在CH3NH3PbBr3钙钛矿晶体上沉积C60电子传输层和Ag电极构建光电探测器结构，该结构呈现金属-半导体-金属（MSM）型构型。首先采用反向温度结晶法（ITC）在预加热循环烘箱中生长CH3NH3PbBr3钙钛矿晶体，该烘箱能提供均匀热场以促进高质量大面积晶体的生长。其次研究了不同生长温度对CH3NH3PbBr3钙钛矿晶体的影响，通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见光谱及光致发光（PL）分析了晶体的电学、光学及形貌特性。最终观测到CH3NH3PbBr3钙钛矿晶体与Ag/C60形成接触构成光电探测器，其响应度达到24.5 A/W。

    关键词： 逆温度结晶法，MSM光电探测器，CH3NH3PbBr3钙钛矿晶体，大面积晶体

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于多晶氮化镓的不同接触金属-半导体-金属（MSM）光电探测器性能

    摘要： 本文描述了采用不同接触材料（Al、ITO、Ni和Pt）的多晶氮化镓基金属-半导体-金属（MSM）光电探测器的性能。通过电阻率（r）、信噪比（SNR）、响应度（R）、内量子效率（η）和时间响应度等指标对每个光电探测器的性能进行了研究。结果表明，镍（Ni）是该光电探测器的理想接触材料。这是因为氮化镓层上残留氧化物形成的NixO扩散至镍接触层降低了电阻率，从而提高了光电探测器的导电性。采用镍接触的光电探测器显示出随偏置电压增加而显著提升的信噪比特性，其电阻率测量值为2.02 MΩ·cm2，在波长λ=342 nm、385 nm和416 nm时对应的内量子效率分别为3.13%、2.36%和1.52%。时间响应度测量显示：上升时间为1.75秒，恢复时间为1.87秒，灵敏度为5840%。

    关键词： MSM光电探测器、电接触、电阻率、内量子效率与时间响应度、信噪比、多晶氮化镓、响应度

    更新于2025-09-12 10:27:22