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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • 通过背面MoOx空穴传输接触的反应溅射增强基于TiOx电子传输层的超薄p型c-Si太阳能电池的效率

    摘要： 随着c-Si太阳能电池厚度的减薄，背面接触处高效载流子选择性传输的重要性显著提升。本研究采用室温反应磁控溅射法，在基于TiOx电子传输层的超薄c-Si太阳能电池上制备了MoOx背面空穴传输层，最终器件结构为Ag/ITO/Mg/TiOx/45 μm p型c-Si/MoOx/Ag。系统研究了氧含量比和溅射功率对薄膜相态、带隙及表面粗糙度的影响，并通过插入MoOx层对Ag与p型c-Si的接触性能进行了优化研究。基于优化的MoOx薄膜，所获得的全无掺杂电池各项参数均得到提升，最终实现12.81%的高效率，较传统背面p+结构电池（11.36%）相对提高约12.8%。结合实验与模拟分析表明，MoOx基电池性能提升可归因于器件电学与光学性能的共同改善。室温下实现MoOx基接触使太阳能电池能够在平面状态下制备，这能大幅避免弯曲效应，并降低超薄c-Si太阳能电池制备过程中的良率损失与能耗。

    关键词： 反应溅射、c-Si太阳能电池、空穴传输接触层、MoOx、TiOx

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 具有MoOx电子反射层的背壁超晶格CIGS太阳能电池中梯度带隙的模拟

    摘要： 采用太阳能电池电容模拟器（SCAPS）研究了以MoOx作为电子反射层的背壁超晶格CuInxGa(1?x)Se2（CIGS）太阳能电池模型。重点分析了不同厚度CIGS吸收层对平带隙结构CIGS太阳能电池性能的影响。当CIGS厚度为400 nm时，10 nm MoOx层器件获得最高8.24%的效率。为进一步提升效率，在MoOx层附近建立了梯度带隙结构，当最大带隙值和梯度区长度分别为1.6 eV和240 nm时，效率可从8.24%提升至15.01%。随后研究了该梯度带隙结构提升效率的机理。通过在靠近CdS层的空间电荷区增设梯度带隙结构，效率可小幅提升至15.15%。最终模拟结果表明：当MoOx厚度从10 nm减至1 nm时，效率可从15.15%进一步提高至16.26%。

    关键词： 背壁超晶格、氧化钼（MoOx）、带隙渐变、铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池、SCAPS软件

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 硅太阳能电池中空穴选择性氧化钼接触的透射电子显微镜与电子能量损失谱研究

    摘要： 本研究通过透射电子显微镜（TEM）与空间分辨电子能量损失谱（SR-EELS）联用技术，探究了晶体硅（c-Si）太阳能电池中亚化学计量比空穴选择性氧化钼（MoOx）接触层。观测发现：在MoOx蒸镀于c-Si衬底过程中，MoOx/c-Si界面会生长约4纳米厚的SiOx中间层。SR-EELS分析显示，无论是初始沉积态还是退火样品，均存在1.5纳米厚的MoOx/ITO（氧化铟锡）扩散界面层。此外，初始沉积态SiOx/MoOx界面处检测到1纳米厚的低氧化态Mo薄层，该层在退火后消失。总体表明：退火过程中MoOx/ITO界面未形成空穴阻挡中间层，且MoOx层会发生均匀化。器件模拟进一步揭示，高效空穴收集依赖于MoOx功函数，而MoOx功函数降低会导致能带弯曲消失并损害空穴选择性。

    关键词： 硅，电子能量损失谱（EELS），空穴选择性，透射电子显微镜（TEM），氧化钼（MoOx）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 日本京都 (2019.7.2-2019.7.5)] 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - OLED滚降现象与载流子注入的关联性

    摘要： 在有机发光二极管（OLED）中，EL效率-电流密度特性曲线出现了效率滚降现象。虽然采用HAT-CN的倒置OLED的EL效率比采用MoOx的倒置OLED高1.5-2倍，但前者最大EL效率出现在更高电流密度下。此外，与传统OLED相比，倒置OLED的最大EL效率出现后效率下降更为迅速。研究认为这种滚降现象与载流子注入有关。

    关键词： 载流子注入、HAT-CN、滚降现象、OLED、发光效率、MoOx

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 日本京都 (2019.7.2-2019.7.5)] 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 氧化钼厚度、电子结构及功函数对硅异质结太阳能电池空穴选择性性能的影响

    摘要： 超薄MoOx能够展现出高功函数（<6 eV）和大带隙（<3 eV），这使其在硅太阳能电池中可作为表面钝化和空穴选择性层，取代因高寄生吸收而不利的掺杂层。重要的是，蒸发过程中通过氧稀释形成的MoOx电子结构会影响其功函数，从而降低空穴注入效率。XPS研究证实了蒸发及退火处理（氩气和氧气氛围）后MoOx样品的电子结构与化学成分。透射电镜显示ITO/MoOx/a-SiH(i)层间界面清晰，且在140°C退火后各层间无扩散现象。制备的10纳米厚MoOx/n-Si太阳能电池实现了20.04%的效率、73.79%的填充因子和38.40 mA/cm2的短路电流密度。当MoOx厚度增加时，由于层间扩散和MoOx的高寄生吸收，填充因子与短路电流密度出现显著下降。

    关键词： 功函数、硅异质结太阳能电池、厚度、MoOx、电子结构

    更新于2025-09-11 14:15:04