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一种适用于OLEDoS微显示器的高均匀性宽数据电压范围像素电路
摘要： 本文提出了一种新型像素电路，用于实现高分辨率、高均匀性的硅基有机发光二极管（OLEDoS）微显示器。该电路采用补偿方案来降低驱动晶体管阈值电压变化对显示均匀性的影响，并通过两个耦合电容降低驱动晶体管栅极电压以扩展数据电压范围?；诠ひ导?.18微米CMOS工艺的验证表明：该像素电路数据电压范围达0.5至3.12V，较现有方案提升4.37倍；当驱动晶体管阈值电压存在±5mV波动时，其发光电流误差控制在-2.1%至2.08%之间；器件老化导致OLED开启电压升高5-20mV时，最大发光电流误差仅从-10.36%改善至-2.62%。该电路布局面积仅为8.1微米×4微米。
关键词： 老化、高均匀性、补偿、硅基有机发光二极管（OLEDoS）、阈值电压变化
更新于2025-09-16 10:30:52
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13.3：OLEDoS微显示器的新型像素结构
摘要： 本文提出了一种适用于0.65英寸SVGA分辨率、8位灰度级有机发光二极管(OLED)微显示器的新型像素结构。该像素结构采用0.18微米工艺，在受限像素区域内集成了4个MOSFET和1个电容。仿真结果表明，发射电流的最大误差出现在高灰度级。
关键词： 微显示器，SVGA，OLEDoS，像素结构，MONSFET
更新于2025-09-11 14:15:04