波导耦合金属包覆腔体与集成反馈短截线

摘要： 我们提出了一种波长量级金属包覆III-V族半导体腔体，该腔体与集成有外部Q因子调谐反馈支节的绝缘体上硅(SOI)波导相耦合。我们研究了一个典型的集成在SOI波导上的波长量级金属包覆InP/InGaAs腔体，实验显示其Q因子提升超过5倍，这与耦合模理论预测结果一致。通过额外的热分析，我们证明通过设计层厚度可以在不明显牺牲光学性能的情况下实现更好的散热效果。