摘要： 细石墨微粉在下游管式反应器中经处理，以快速且均匀地进行粉末表面的有机硅-等离子体涂层的等离子体增强化学气相沉积。由于单次工艺运行会在粉末表面沉积由纳米颗粒分布组成的非连续涂层，因此对粉末进行反复再加工直至获得连续涂层。通过聚焦离子束扫描电子显微镜对涂层进行成像，并采用拉曼光谱和X射线光电子能谱进行化学表征?；菇辛朔勰┝鞫云拦酪匝芯客坎惚砻娴拇植诙??；П碚鞅砻?，该涂层由含少量氧污染的非晶氢化碳化硅组成。

硫甘油和甲醇（TGM）包覆的纳米晶SnxCd1?xS薄膜的合成及其光学与结构特性研究

摘要： 采用水合氯化亚锡(SnCl?·2H?O)、无水醋酸镉((CH?COO)?Cd·2H?O)和硫脲(CS(NH?)?)分别作为锡、镉和硫离子源，在水介质中以1:1比例的巯基甘油与甲醇为封端剂，制备了纳米结构CdS(nCdS)及三元Sn?Cd???S薄膜。当锡掺杂浓度较低(0-2%)时薄膜厚度急剧减小，而在(2-3%)及5%锡掺杂时厚度增加。研究了锡浓度变化对纳米颗粒光学性能、光致发光及结构特性的影响。紫外-可见-近红外光谱透射测量显示：3%和5%锡掺杂样品在450-800nm波长范围内透光率超过80%。纳米CdS薄膜的直接光学带隙值为2.91eV，该值随锡掺杂浓度变化而降低。光电导增益可忽略不计。观察到nCdS在430nm短波发射峰强度随(2-5%)锡含量增加而减弱。X射线衍射图谱与选区电子衍射图谱证实形成了纳米晶六方相CdSnS。扫描电镜与透射电镜测量表明CdSnS薄膜粒径均小于20nm。

共沉淀法合成ZnO纳米粒子的表征及抗菌活性

摘要： 目的：本研究考察了氧化锌（ZnO）纳米粒子对革兰氏阴性菌（大肠杆菌和普通变形杆菌）及革兰氏阳性菌（金黄色葡萄球菌和变异链球菌）的抗菌活性。 方法：采用共沉淀法以硫酸锌和氢氧化钠为前驱体合成ZnO纳米粒子，通过X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、紫外-可见光谱（UV-Visible）及扫描电镜（SEM）结合能谱分析（EDX）进行表征。分别采用琼脂孔扩散法和液体稀释法测定纳米粒子对两类细菌的抗菌活性及最小抑菌浓度。 结果：X射线衍射测得ZnO纳米粒子平均晶粒尺寸为35 nm。FTIR光谱显示450 cm?1和603 cm?1处存在ZnO特征伸缩振动峰。紫外-可见光谱测得光学吸收峰位于383 nm。SEM观察显示纳米粒子呈球形形貌。抗菌实验表明，在50 mg/ml浓度下，大肠杆菌抑菌圈直径最大（32±0.20 mm），其次为普通变形杆菌（30±0.45 mm）。 结论：与革兰氏阳性菌相比，氧化锌纳米粒子对革兰氏阴性菌表现出更显著的抗菌活性。

微波等离子体化学气相沉积法在金刚石衬底上生长金刚石的多变量研究

摘要： 氢气（H2）混合气体中的基底温度与甲烷浓度是提升合成钻石生长速率、成核密度及晶粒尺寸的主要因素，但该方法会降低品质。虽然提高腔室压力可改善品质，却会导致晶体生长速率下降。采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术在氢气（H2）与甲烷（CH4）混合气体中沉积了薄层钻石薄膜，研究了甲烷浓度（1-5%）、生长温度及压力对钻石基底上钻石薄膜成核的影响。生长温度与压力分别维持在925-950℃和72-75托范围内，在钻石基底上制备的单晶钻石（SCD）薄膜对钻石探测器应用具有重要价值。通过优化工艺，在厚度分别为209.17微米（1%甲烷）、401.73微米（2%甲烷）和995.03微米（5%甲烷）的钻石基底上获得了不同尺寸的薄膜。经测试，当甲烷浓度为5%且基底温度优化至950℃时，薄膜粗糙度为5.02微米/小时，生长速率为4.23纳米/分钟。运用多种表征技术分析了沉积钻石薄膜的结构、形貌及成分特性，证实了钻石基底上所形成钻石薄膜的晶体有序性。

[IEEE 2018年第15届控制、自动化、机器人和视觉国际会议(ICARCV) - 新加坡，新加坡(2018.11.18-2018.11.21)] 2018年第15届控制、自动化、机器人和视觉国际会议(ICARCV) - 扫描电子显微镜中纳米操作平台运动误差的检测与补偿

摘要： 基于扫描电子显微镜（SEM）的纳米操作系统具有良好的实时视觉反馈和纳米级观测分辨率，在真空工作环境中具有较高的可操作性。通过该SEM纳米操作系统可执行碳纳米管（CNTs）的不同纳米操纵任务。现有纳米操纵平台存在固有制造误差、安装误差等问题，且精度不足的纳米操作系统也会增加操作人员的工作负担。本文提出一种结合视觉反馈与前馈控制的方法，用于检测并补偿SEM纳米操作系统中多维SmarAct纳米操纵平台的运动误差。该方法降低了X-Y方向的运动误差，实现了更高的操作精度。在不同步进速度下，X方向与Y方向的运动误差分别为135.7纳米和112.9纳米；经前馈补偿后，X方向与Y方向的运动误差分别降至61.3纳米和54.1纳米。

两种不同球磨活化方式下纯纳米晶钛酸钡的相评估

摘要： 纯纳米晶BaSnO3通过两种方法制备：机械活化（行星式球磨）和玛瑙研钵中机械手动混合，随后均在1350°C/2h条件下烧结。采用X射线衍射（XRD）分析合成过程中的物相形成，并根据衍射图谱主峰通过谢乐公式计算晶粒尺寸。成功合成了具有单一简单立方钙钛矿结构的纳米晶锡酸钡，其晶粒尺寸约为50nm。通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）测定键合形成的对称与非对称伸缩振动及晶体结构内离子配位，FTIR研究证实了XRD鉴定的物相，因其验证了分子特征及阳离子配位。扫描电子显微镜（SEM）观察微观结构与形貌，能谱仪（EDX）分析确定组成元素的存在。紫外-可见光谱（UV-VIS）显示样品在紫外区的吸收光谱，带隙通过Tauc关系计算得出。纳米晶锡酸钡的间接跃迁带隙约为2-2.78eV，直接跃迁带隙约为2.78-3.14eV，该数值接近半导体基材料。

氧化锌纳米棒对聚乙烯醇/羧甲基纤维素复合材料结构、热学、介电及电学性能的影响

摘要： 通过化学气相沉积法（CVD）制备的氧化锌纳米棒经透射电镜（TEM）测定，其长度介于104.12至307.64纳米之间，直径介于21.17至55.88纳米之间。采用浇铸法制备了聚乙烯醇/羧甲基纤维素纳米复合材料与氧化锌（ZnO）。采用多种方法对制备样品进行表征：X射线衍射分析显示这些聚合物样品具有非晶特性，且添加过程使其非晶程度增加；傅里叶变换红外光谱（FTIR）证实了ZnO纳米棒与PVA/CMC共混物的相互作用；扫描电子显微镜（SEM）支持了掺杂剂在聚合物基体中的分散状态；差示扫描量热法（DSC）和热重分析（TGA）用于研究薄膜的热行为，发现导电性最高的聚合物材料具有较低的玻璃化转变温度。通过复阻抗谱法分析了不同温度下作为频率函数的导电性与介电行为，交流电导率符合琼斯彻定律，而直流电导率呈现阿伦尼乌斯行为并随温度升高而增强，且薄膜的活化能随ZnO纳米棒含量增加而降低。纯共混物与纳米复合材料的介电性能因ZnO纳米棒的加入得到提升，且表现出显著的温度依赖性。频率指数（s）与所提出的势垒跳跃模型关联方程高度吻合。这些纳米复合材料样品中直流与交流电导率的显著提升，使其成为电化学器件应用的潜在候选材料。

基于石榴石薄膜闪烁体的S(T)EM前瞻性闪烁电子探测器

摘要： 基于新型外延石榴石薄膜闪烁体的扫描电子显微镜和/或扫描透射电子显微镜（S(T)EM）用闪烁电子探测器的性能进行了研究。制备了化学式为(Ce0.01Lu0.27Gd0.74)3–wMgw(Ga2.48Al2.46)O12的LuGAGG:Ce和LuGAGG:Ce,Mg薄膜闪烁体，并对其阴极发光（CL）和光学特性进行了研究，与当前标准块状单晶YAG:Ce和YAP:Ce闪烁体的特性进行了比较。更具体地说，测量了上述闪烁体的CL衰减特性、CL发射光谱、CL强度、光学吸收系数和折射率。此外，还计算了电子相互作用体积与吸收能量分布、光电倍增管（PMT）光阴极匹配度、调制传递函数（MTF）以及采用上述闪烁体的闪烁探测器的光子传输效率。观察到LuGAGG:Ce,Mg薄膜闪烁体的CL衰减时间低至28 ns，在电子束激发后1 μs时的余辉仅为0.02%。根据计算的MTF，采用新薄膜闪烁体的闪烁探测器在0.6 lp/像素以上时失去对比度传递能力，而目前常用的YAG:Ce单晶闪烁体在0.1 lp/像素以上时即已如此。计算还表明，即使对于简单的圆盘形状，新研究的薄膜闪烁体相比标准块状单晶YAG:Ce闪烁体也具有8%更高的光子传输效率。所研究的LuGAGG:Ce,Mg外延石榴石薄膜闪烁体被认为是电子探测器（不仅在S(T)EM中，也在其他电子束设备中）有前景的快速闪烁体。

BiSn共晶的多脉冲激光烧蚀：非化学计量元素转移与形貌分析

摘要： 采用波长351纳米、脉宽20纳秒的准分子激光器，对共晶BiSn靶材表面多个位点进行多组脉冲烧蚀。通过扫描电子显微镜、光学轮廓仪和能量色散光谱仪(EDS)分析了不同脉冲数下形成的烧蚀坑形貌。每组脉冲的最后一发激光均进行了激光诱导击穿光谱(LIBS)测量。不同脉冲组烧蚀坑的LIBS谱线中Bi I 472.25纳米与Sn I 563.16纳米峰强比从单脉冲最大值降至70脉冲组后的稳定值。各脉冲组的EDS元素面分布显示Bi原子丰度随LIBS谱Bi峰归一化强度降低而减少。基于克努森蒸发模型解释了烧蚀区化学成分变化。首次观测到显著流体力学效应形成的50微米高边缘结构，该异常形貌特征通过流体力学效应与反冲压力机制得以阐释。

采用选择性激光熔化（SLM）技术制造医用级ASTM F75钴铬（CoCrMo）支架的元素分析、碳硫分析及冲击试验表征

摘要： 本文阐述并论证了金属增材制造（MAM）技术利用ASTM F75钴铬粉末生产定制化复杂支架结构的能力。目前正在开发并测试元素分析（EDX-SEM）、碳硫分析和冲击试验，从而探索MAM工艺在未来支架制造中的潜在应用领域。通过改用MAM工艺，可减少生产步骤，从而根据患者需求实现支架定制化。所采用的支架模型来自第三方供应商，制造过程使用EOSINT M280金属打印机，并借助Materialise Magics 19.0软件生成支撑结构。