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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • [IEEE 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 印度科因巴托尔(2018.3.16-2018.3.17)] 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 基于CMOS的伽马辐射剂量计比较研究

    摘要： 本文对基于CMOS的双栅RADFET、全包围栅极（GAA）RADFET和无结双栅（JL-DG）RADFET剂量计及其电学性能进行了定量对比研究。采用Sentaurus三维器件模拟器的伽马辐射模型，探究了中等剂量辐射环境下电子-空穴的俘获与释放现象，并分析了总剂量对阈值电压和漏极电流的影响。结果表明：相较于传统双栅RADFET和GAA RADFET剂量计，无结双栅RADFET的亚阈值参数得到改善。

    关键词： 阈值电压，Sentaurus TCAD，JL DG RADFET，DG RADFET，伽马辐射模型，GAA MOSFET

    更新于2025-09-23 05:39:12

  • 三结In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P太阳能电池中In0.3Ga0.7As层厚度的优化

    摘要： 采用Sentaurus TCAD软件包，以底部In0.3Ga0.7As子电池中少数载流子寿命为变量，研究了三结In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P太阳能电池底部吸收层最佳厚度。设定寿命范围为17皮秒至53纳秒。计算结果表明，最佳厚度在0.9至7.5微米之间变化。此外，还评估了不同寿命值下底部In0.3Ga0.7As子电池对该三结太阳能电池效率的贡献，其贡献值介于1%至7%之间。

    关键词： 数值模拟，Sentaurus TCAD，In0.3Ga0.7As，太阳能电池，最佳厚度

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 通过TOPCon实现PERC太阳能电池渐进式升级的效率路线图：寄生吸收的影响

    摘要： 通过薄界面氧化层和高掺杂多晶硅层（如TOPCon技术）形成的钝化接触，即将应用于太阳能电池的大规模生产。投资决策依赖于研发工作以确定最具前景的实施方案——即基于预测性能提升的可靠路线图。本文通过数值模拟系统量化了性能潜力，重点研究无主栅p型双面钝化发射极背接触（PERC）技术的渐进式升级方案。我们特别强调：不仅要考虑钝化接触的电学增益，还需评估前后表面光照时多晶硅层寄生吸收导致的光学损失。通过实验测试结构表征多晶硅中自由载流子吸收对电池光学性能的影响，从而验证光学模拟模型。在后表面全面引入TOPCon结构并使其与前表面栅线局部对齐，可使PERC效率绝对值提升约1%。最终器件的性能主要受限于p型c-Si基体与磷掺杂前发射极的损失。因此，这种渐进式TOPCon升级方案对于未来改进型p-PERC电池具有重要参考价值——可作为当前聚焦硼发射极n型TOPCon电池的替代方案。

    关键词： 寄生吸收、Sentaurus TCAD、TOPCon、模拟、钝化接触、自由载流子吸收、路线图、Quokka3

    更新于2025-09-16 10:30:52