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[2018年IEEE能源转换大会暨博览会（ECCE）- 美国俄勒冈州波特兰市（2018.9.23-2018.9.27）] 2018年IEEE能源转换大会暨博览会（ECCE）- 新型单片集成双向氮化镓高电子迁移率晶体管
摘要： 氮化镓功率半导体的横向芯片架构实现了具有双向阻断能力的单片集成氮化镓高电子迁移率晶体管设计。所提出的双向氮化镓高电子迁移率晶体管能显著降低多电平T型逆变器等应用中的导通损耗——这类应用正得益于具备双向电压阻断能力的功率半导体器件。在静态与动态特性测试中，该单片集成双向氮化镓高电子迁移率晶体管展现出与传统单向氮化镓高电子迁移率晶体管相似的开关特性和导通状态表现。
关键词： 双向、T型逆变器、功率半导体器件、多电平逆变器、开关特性、氮化镓、动态导通电阻、高电子迁移率晶体管、集成、半导体
更新于2025-09-04 15:30:14