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oe1(光电查) - 科学论文

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  • GaN栅极注入晶体管（GIT）的紧凑模型与TCAD仿真

    摘要： 宽带隙（WBG）半导体器件是电力应用领域一项颇具前景的新兴技术，近期正逐步获得商业认可。氮化镓（GaN）凭借高带隙、高迁移率、高饱和速度及高击穿电压等优势，成为最具竞争力的候选材料之一。在电力电子应用中，增强型GaN器件比耗尽型器件更具优势，但直至近年才实现商业化。本研究采用的增强型器件为GaN栅极注入晶体管（GIT），通过增设p型掺杂栅极实现常关特性。本文基于物理紧凑模型和TCAD（技术计算机辅助设计）数值模拟，展示了GaN-GIT器件的电流-电压（I-V）特性，并预测建模了该器件的工作行为。研究同时对比了适用于kHz至MHz频段低频电力电子应用的紧凑模型与TCAD仿真结果。

    关键词： GIT（门极隔离晶体管）、GaN（氮化镓）、WBG（宽禁带半导体）、TCAD（技术计算机辅助设计）、HEMT（高电子迁移率晶体管）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用ITO作为前接触层使CIGS太阳能电池效率提升23%

    摘要： 本文提出了一种基于铜铟镓硒（CIGS）材料的太阳能电池结构。通过采用氧化铟锡（ITO）作为前接触层，该设计结构的效率得以提升。利用SILVACO ATLAS软件对器件进行了全面细致的分析，计算了开路电压（Voc）、最大功率密度对应电压、短路电流密度（Jsc）、最大输出功率（Pm）和填充因子（FF）等关键设计参数。以ITO为前接触层的CIGS太阳能电池实现了23.074%的优化效率，因此该设计方案是实现超高转换效率的理想选择。

    关键词： 填充因子、效率、ITO（氧化铟锡）、CIGS（铜铟镓硒）、太阳能电池、TCAD（技术计算机辅助设计）

    更新于2025-09-23 15:19:57