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oe1(光电查) - 科学论文

30 条数据
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  • [2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 深圳 (2018.6.6-2018.6.8)] 2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 考虑迁移率幂律参数的有机薄膜晶体管1/f噪声分析

    摘要： 基于载流子数涨落模型，分析了有机薄膜晶体管（TFT）在低漏极电压下的1/f噪声。载流子迁移率与栅压相关，并由幂律函数描述。迁移率幂律参数α决定了漏极电流噪声功率谱密度（PSD）SIDS与漏极电流IDS之间的关系，研究发现当α=1时SIDS∝I2DS。这与载流子迁移率恒定的MOSFETs中众所周知的规律不同：当SIDS∝I2DS时，霍尔迁移率涨落模型主导1/f噪声。

    关键词： 载流子迁移率、薄膜晶体管（TFT）、分析模型、低频噪声

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 采用溅射法制备的In-Al-Zn-O沟道及不同源/漏电极的高性能薄膜晶体管

    摘要： 基于溅射制备的In-Al-Zn-O（IAZO）沟道层的高性能薄膜晶体管（TFTs）展现出优异光电特性，其结构与性能经表征验证。退火前后IAZO薄膜均保持非晶态且表面粗糙度较低。退火后霍尔迁移率从27.1提升至74.2 cm2/Vs。未退火与退火处理的IAZO薄膜在可见光范围内平均透过率均超过95%，光学带隙约4.1 eV。通过UPS测量推导出退火前后IAZO薄膜的能级图。采用金电极的IAZO TFT获得20.57 cm2/Vs的高场效应迁移率、4.02×10?的高开关电流比（Ion/Ioff）及0.55 V/dec的亚阈值摆幅（SS）。相比之下，钛电极TFT虽迁移率较低（9.54 cm2/Vs），但具有更高的7.39×10?开关电流比、更低的亚阈值摆幅及显著减小的迟滞效应。

    关键词： IAZO，溅射，TFT

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过脉冲激光沉积法制备的高导电透明AZO薄膜作为TFT的源/漏电极

    摘要： 掺铝氧化锌（AZO）因其价格低廉、高透明度和环保特性，在导电电极领域具有广阔前景。然而，在不进行热退火的情况下提升AZO导电性并实现半导体与AZO源/漏（S/D）电极的欧姆接触仍是挑战。本研究报道采用脉冲激光沉积（PLD）技术——凭借激光高能量和无离子损伤的特性——显著改善了AZO薄膜的综合性能。80纳米厚的AZO S/D电极展现出优异光学特性（透光率90.43%，光学带隙3.42 eV）、良好电学性能（电阻率16×10?? Ω·cm，霍尔迁移率3.47 cm2/V·s，载流子浓度9.77×102? cm?3）及卓越表面平整度（扫描区域5×5 μm2下均方根粗糙度Rq=1.15 nm）。更关键的是，其对应的薄膜晶体管（TFT）具有低接触电阻（RSD=0.3 MΩ），表现出卓越性能：饱和迁移率（μsat）达8.59 cm2/V·s，开关比Ion/Ioff为4.13×10?，亚阈值摆幅（SS）0.435 V/十倍频，且在PBS/NBS条件下稳定性良好。此外，构成该透明TFT的未构图多层膜平均透光率达78.5%。该TFT制备工艺可适配转移至透明阵列或柔性基板，符合显示技术发展趋势。

    关键词： PLD、TFT、AZO、透明度、源/漏电极

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于n型和p型氧化物半导体的互补集成电路，用于平板显示器之外的应用

    摘要： 氧化物半导体因其优异的电学性能、低温制备工艺、高均匀性及易于工业化生产的特点，在大面积薄膜电子器件制造领域极具吸引力。n型氧化物半导体（如InGaZnO）已高度成熟并实现商业化应用，广泛应用于平板显示器背板驱动电路。目前，开发基于氧化物半导体的低功耗电子电路仍亟需突破CMOS技术瓶颈。本文采用磁控溅射法制备的p型氧化锡和n型InGaZnO材料，成功构建了包括反相器、与非门、或非门、异或门、D锁存器、全加器以及7/11/21/51级环形振荡器（ROs）在内的多种CMOS电路。测试表明：反相器具有轨对轨输出特性，静态功耗低至8.84 nW，噪声容限高达约40%电源电压，成品率达98%，且标准偏差可忽略的高均匀性；逻辑门电路（与非/或非/异或）、D锁存器和全加器均呈现理想的输入-输出特性；环形振荡器展现出约1 μs的微小级延迟，以及大面积薄膜电子器件必需的极高均匀性与成品率。本研究为突破平板显示应用局限，构建基于全氧化物半导体的低功耗、大面积、大规模高性能透明/柔性CMOS电路提供了重要启示。

    关键词： 互补金属氧化物半导体、氧化物半导体、薄膜晶体管（TFT）、集成电路

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 采用ITO稳定ZnO薄膜晶体管实现透明电子学基础数字电路

    摘要： 本文实现了基于n型氧化铟锡稳定氧化锌薄膜晶体管（TFT）的几种基本伪CMOS数字电路并进行研究。这些电路在整个可见光波段的光学透过率介于77%至92%之间。电学性能方面，在10V供电电压下，反相器、或非门、与非门、D锁存器和D触发器的操作频率均超过10kHz。此外，当供电电压为20V时，13级环形振荡器可以42kHz频率运行，其传播延迟时间为0.92微秒。在现有透明电路设计中，这些基于ITO稳定氧化锌TFT的电路展现出高速性能，有望作为中等频率要求透明电子器件的构建?？?。

    关键词： 透明电子器件、数字电路、氧化铟锡稳定的氧化锌、薄膜晶体管（TFT）、环形振荡器（RO）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 钝化层对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管正栅偏压应力稳定性的影响

    摘要： 钝化（PV）层可有效提升非晶铟镓锌氧（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）的正向栅极偏压应力（PGBS）稳定性，但其相关物理机制尚不明确。本研究采用不同厚度的SiO2或Al2O3薄膜对a-IGZO TFT进行钝化处理，使器件在PGBS测试中表现更稳定。随着PV层厚度增加，由于PV层屏障效应增强，a-IGZO TFT的PGBS稳定性得到改善。当PV层厚度超过特征长度时，阈值电压几乎无偏移，表明本研究中a-IGZO TFT的PGBS不稳定性主要受环境气氛影响而非电荷俘获作用。SiO2 PV层的改善效果优于Al2O3，因其具有更小的特征长度（约5纳米），而Al2O3 PV层特征长度约为10纳米。

    关键词： 薄膜晶体管（TFT）、正栅极偏压应力（PGBS）、钝化层、特征长度、非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 用于高分辨率AMOLED背板的垂直集成双堆叠氧化物TFT层

    摘要： 我们开发了一种新型垂直集成的双层氧化物薄膜晶体管（TFT）背板，用于高分辨率有机发光二极管（OLED）显示器。第一层TFT采用体积累积模式，第二层TFT为单栅极背沟道刻蚀结构。实测迁移率和阈值电压分别高于10 cm2/Vs和0~1 V。两种TFT在偏压和温度应力下均表现出极高的稳定性。我们研制了宽度530微米、间距18.6微米的栅极驱动器，在900级输出末端仍能实现良好信号传输且无性能衰减，适用于1360 ppi的TFT背板。

    关键词： 双层堆叠结构、氧化物、高清晰度、薄膜晶体管（TFT）、高分辨率

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE国际计算、通信与工程会议（ICCCE）- 中国福建（2019.11.8-2019.11.10）] 2019年IEEE国际计算、通信与工程会议（ICCCE）- 大尺寸AMOLED显示器的实时阈值电压与迁移率补偿

    摘要： 本文提出了一种名为"线性充电检测(LCS)"的大尺寸AMOLED显示器阈值电压(Vth)和迁移率(μ)实时补偿新方法。该补偿技术可在数十至数百微秒内完成Vth和μ的检测，从而实现在一帧时间内完成全高清(FHD 1920×1080)AMOLED显示屏所有像素的检测。通过仿真分析发现，LCS补偿方法对Vth检测具有高精度，在Vth=-0.5V时误差仅为0.07V。经FHD AMOLED面板验证，该方法能显著改善图像残留和亮度均匀性问题。

    关键词： 线性电荷感应、AMOLED、补偿、TFT、阈值电压

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [计算机科学讲义] 模式识别与计算机视觉 第11259卷（首届中国会议，PRCV 2018，中国广州，2018年11月23-26日，会议录，第四部分）|| 基于U-ResNet的TFT-LCD制造过程中导电粒子检测

    摘要： 各向异性导电膜（ACF）键合后导电粒子的检测是TFT-LCD制造过程中的常规关键步骤，因为导电粒子的质量是衡量ACF键合质量的指标。显微镜下的人工检测既耗时又繁琐。工业界对自动导电粒子检测系统存在需求。自动导电粒子质量检测的挑战在于复杂的背景噪声和多样化的粒子外观（包括形状、尺寸、聚集和重叠等）。因此，目前缺乏能有效处理所有复杂粒子模式的自动检测方法。本文提出了一种U形深度残差神经网络（U-ResNet），该网络能从大量标注数据中学习粒子特征。实验结果表明，所提方法实现了高准确率和高召回率，显著优于以往工作。

    关键词： 深度卷积网络，导电颗粒，TFT-LCD，U-ResNet

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过真空快速热退火控制In-Ga-Zn-O薄膜电阻及其在透明电极中的应用

    摘要： 本研究发现，在真空快速热退火处理下，非晶铟镓锌氧化物薄膜呈现显著的电阻变化，而相同处理的氧化锌锡薄膜电阻变化微小?；诖耍狙芯刻骄苛朔蔷ь黠匦垦趸锉∧ぷ魑趸课∧ぞ骞芡该髟?漏电极的适用性?？杉夥段?，非晶铟镓锌氧化物与非晶氧化锌锡薄膜的光学透过率均超过85%。此外，采用非晶铟镓锌氧化物源/漏电极的氧化锌锡薄膜晶体管展现出更优的电学特性：阈值摆幅更低（从369.96降至315.45 mV·dec?1）、迁移率更高（从28.47提升至36.187 cm2·V?1·s?1）、开关电流比更大（从1.25×10?增至3.56×10?）。正负偏压温度应力测试表明，该器件的稳定性与采用氧化铟锡源/漏电极的氧化锌锡薄膜晶体管相当。

    关键词： Zn-Sn-O（ZTO）、In-Ga-Zn-O（IGZO）源/漏电极、薄膜晶体管（TFT）、真空快速热退火

    更新于2025-09-23 15:19:57