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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 用于加速并行晶格动力学蒙特卡罗模拟的动态空间划分方法
摘要： 一种新的动态空间划分方法被引入并行化晶格动力学蒙特卡罗（kMC）模拟器中，以克服其他并行化kMC模拟器中存在的并行效率损失问题。该模拟单元的动态划分通过所有线程实现更好的负载均衡，从而减少模拟过程中的耗时事件。新方法针对假设案例和实际案例进行了评估。在这两种情况下，串行模拟与并行化模拟之间的差异均极小。对于实际案例，可能需要其他代码优化措施来进一步提高并行效率。
关键词： 共享内存、随机性、纳米级、鳍式场效应晶体管（FinFET）、kMC（动力学蒙特卡罗方法）、并行化效率、OpenMP
更新于2025-09-23 15:22:29
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[2018年IEEE国际集成电路物理与失效分析研讨会（IPFA）- 新加坡（2018.7.16-2018.7.19）] 2018年IEEE国际集成电路物理与失效分析研讨会（IPFA）- 基于TCAD仿真的先进纳米器件前端制程桥接缺陷电学特性研究
摘要： 本工作采用基于技术计算机辅助设计（TCAD）的仿真方法，展示了不同前端工艺线（FEOL）桥接缺陷位置的电气特性表征。通过仿真获得的电气特性有助于识别桥接缺陷的可能位置。仿真结果与实际失效器件上采集的纳米探针测试结果高度吻合。此外，对潜在缺陷的仿真为理解缺陷如何影响晶体管电学行为提供了快速途径。
关键词： 缺陷模拟，TCAD，FinFET
更新于2025-09-23 15:21:01
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三栅极硅纳米线场效应晶体管的电导调节灵敏度
摘要： 采用电流瞬态直接测量法研究了SOI三栅硅纳米线的单粒子瞬态(SET)响应。通过两个步骤将收集电荷分布与模拟结果进行对比：一是使用详细的电荷产生描述进行沉积能量的蒙特卡罗模拟，二是进行收集电荷的TCAD模拟，获得了与实验数据良好的一致性。因此，现有模拟工具经过少量优化后即可用于此类集成器件的模拟。对SET的分析表明，收集到的电荷值既低于根据线性能量转移(LET)估算的电荷，也低于纳米线中实际产生的电荷，揭示了纳米线器件对高LET离子的有限敏感性。
关键词： 纳米线、单粒子效应瞬态（SEE）、单粒子瞬态（Single - Event Transient）、超薄绝缘体上硅（Ultra - Thin SOI）、粒子 - 物质相互作用、单粒子效应（Single - Event Effect）、Geant4、鳍式场效应晶体管（FinFET）、技术计算机辅助设计（TCAD）、多栅极、模拟、单粒子瞬态（SET）、实验
更新于2025-09-23 15:21:01
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SOI FinFET中脉冲激光诱导单粒子效应的偏振依赖性
摘要： 在亚带隙波长（1260纳米）下对SOI FinFET进行的脉冲电流激光诱导测量会受到实验测试装置所用激光偏振态的影响。这种偏振依赖性在大面积硅二极管脉冲激光单粒子效应测试中未观察到，表明其源于纳米级鳍结构的存在?；邝⑶鹗?介质界面的等离激元增强效应被认为是导致偏振现象的可能机制。该偏振依赖性对脉冲激光测试数据的采集与解读具有重要影响。为确保多次测量活动中测试条件的一致性和测量结果的可重复性，在进行脉冲激光测试时需考虑FinFET及其他纳米器件的器件取向。
关键词： 脉冲激光、FinFET、单粒子效应、单粒子瞬态
更新于2025-09-12 10:27:22
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评估采用栅极与源/漏区欠叠结构的In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As FinFET中界面陷阱对14纳米以下技术节点短沟道效应的抑制作用
摘要： 采用栅源/漏极欠重叠鳍长（Lun）结构的硅FinFET器件多年来被有效用于抑制短沟道效应。本研究针对In0.53Ga0.47As材料的FinFET结构展开研究，通过三维TCAD模拟对14nm沟道长度且具有欠重叠结构的In0.53Ga0.47As FinFET进行多效应耦合分析，探究界面陷阱对器件的影响。通过研究陷阱效应对短沟道效应和本征延迟的主导作用，评估了欠重叠器件的变化趋势。同时展示了金属栅功函数波动（MGWF）对阈值电压和导通电流的影响。模拟设置了Lun=0、3nm、6nm和9nm四种情况，界面陷阱密度分别为10^12和10^14 cm^-2eV^-1。结果表明：随着Lun增大，亚阈值摆幅（SS）得到改善但以本征延迟为代价；当Lun超过6nm后SS提升趋于平缓。此外发现：由MGWF波动引起的阈值电压和导通电流相对标准偏差，在Lun增至6nm前持续改善，此后改善幅度不再显著。
关键词： In0.53Ga0.47As（砷化铟镓）、短沟道效应、本征延迟、界面陷阱、鳍式场效应晶体管（FinFET）、亚阈值摆幅、金属栅功函数变化
更新于2025-09-10 09:29:36
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先进鳍式器件的ZTC偏置点：重要性与探索
摘要： 目前对这项工作的理解是评估并解决亚20纳米FinFET的温度补偿点（TCP）或零温度系数（ZTC）点。通过商业化的Synopsis公司TCAD仿真器Sentaurus?，研究了几何参数对基于鳍式器件各种性能的敏感性及其在25°C至225°C宽温度范围内的可靠性，以扩展器件可扩展性的基准。成功分析了鳍高度（HFin）、鳍宽度（WFin）和温度（T）对FinFET大量性能指标的影响，包括开关比（Ion/Ioff）、跨导（gm）、增益（AV）、截止频率（fT）、静态功耗（PD）、能量（E）、能量延迟积（EDP）以及最佳工作点（gmfT/ID）。
关键词： 鳍式场效应晶体管（FinFET）、H型鳍、W型鳍、静态与动态性能、TCP或ZTC
更新于2025-09-10 09:29:36
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[IEEE 2018年第二届电子与信息学趋势国际会议（ICOEI） - 印度蒂鲁内尔维利（2018.5.11-2018.5.12）] 2018年第二届电子与信息学趋势国际会议（ICOEI） - 面向SoC应用的SOI三栅鳍式场效应晶体管中量化效应与载流子散射效应研究
摘要： 本文对一款前沿的22纳米FinFET晶体管技术进行了优化，使其适用于半导体行业各类半导体器件及应用场景。该器件经过工业级应用优化，亦可应用于市售低功耗片上系统（SoC）产品。仿真获得的器件参数与当前国际半导体技术路线图（ITRS）报告相符，且处于可接受范围内。与常规情况相比，该器件的短沟道效应得到显著抑制。亚阈值摆幅和漏致势垒降低效应表现良好，因此还分析了漏极偏压对器件性能的影响，并研究了其在高漏极偏压下的可靠性。器件仿真采用Sentaurus TCAD完成，数学运算通过MATLAB和Origin软件实现。
关键词： 亚阈值摆幅、TG-FinFET、载流子速度饱和、漏致势垒降低效应、载流子限制
更新于2025-09-09 09:28:46