GaN栅极注入晶体管（GIT）的紧凑模型与TCAD仿真

摘要： 宽带隙（WBG）半导体器件是电力应用领域一项颇具前景的新兴技术，近期正逐步获得商业认可。氮化镓（GaN）凭借高带隙、高迁移率、高饱和速度及高击穿电压等优势，成为最具竞争力的候选材料之一。在电力电子应用中，增强型GaN器件比耗尽型器件更具优势，但直至近年才实现商业化。本研究采用的增强型器件为GaN栅极注入晶体管（GIT），通过增设p型掺杂栅极实现常关特性。本文基于物理紧凑模型和TCAD（技术计算机辅助设计）数值模拟，展示了GaN-GIT器件的电流-电压（I-V）特性，并预测建模了该器件的工作行为。研究同时对比了适用于kHz至MHz频段低频电力电子应用的紧凑模型与TCAD仿真结果。