基于热激活延迟荧光发射体的白光有机发光二极管中发射层结构对电致发光性能的影响

摘要： 采用蓝光（DMAC-DPS(B)）、绿光（4CzIPN(G)）和红光（4CzTPN-Ph(R)）热活化延迟荧光材料制备了白光有机发光二极管（WOLED），并研究了发射层（EML）结构（包括EML厚度和4CzTPN-Ph(R)掺杂浓度）对G/B、G/R/B及R:G/B器件电致发光（EL）性能的影响。研究发现，简单G(20nm)/B(10nm) EML结构的WOLED实现了约16 lm/W的最大功率效率（PE）和81的显色指数（CRI）。其中R:G/B EML的EL性能优于G/R/B EML。特别地，通过精确调控EML厚度和4CzTPN-Ph(R)掺杂浓度，R(1wt%):G(20nm)/B(10nm) EML可获得高达90的显色指数及约13 lm/W的最大功率效率，表明基于非掺杂TADF发射器的WOLED实现了EL效率与CRI的平衡。此外，堆叠EML结构G(20nm)/R(0.1nm)和G(20nm)/R(0.1nm)/B(10nm)比混合EML结构R(1wt%):G(20nm)和R(1wt%):G(20nm)/B(10nm)表现出更严重的延迟荧光（DF）猝灭现象，表明夹层0.1nm 4CzTPN-Ph(R)层会引发更强的猝灭效应导致EL性能恶化。研究发现夹层4CzTPN-Ph(R)超薄层产生的不同光致发光（PL）及瞬态PL衰减动力学是关键因素，并详细讨论了导致EML结构依赖性EL性能的衰减动力学机制。