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β-SiC/Si(001)衬底上的逐层石墨烯生长
摘要： 通过高分辨率芯能级与角分辨光电子能谱、低能电子显微镜及微区低能电子衍射技术，揭示了在具有技术应用价值的立方相SiC/Si(001)衬底上生长少层石墨烯的机理。研究团队利用显微光谱技术组合，在高温石墨烯合成过程中原位监测表面石墨化进程，从而精确控制碳化硅衬底上石墨覆盖层的厚度及相关表面结构变化。实验数据表明：在SiC(001)表面生长少层石墨烯初期阶段，石墨烯晶格择优取向会呈现渐变特征，这些发现可作为在碳化硅衬底上可控生长单层、双层及三层石墨烯的参考依据。
关键词： 低能电子显微镜（LEEM）、角分辨光电子能谱（ARPES）、微区低能电子衍射（μ-LEED）、β-碳化硅（β-SiC）、X射线光电子能谱（XPS）、纳米畴（nanodomains）、石墨烯（graphene）
更新于2025-09-04 15:30:14