KF后沉积处理对Cu(In,Ga)Se2表面及Cu(In,Ga)Se2/CdS界面硫化的影响

摘要： Cu(In,Ga)Se2（CIGSe）吸收层的部分硫化有助于提升黄铜矿基太阳能电池的光伏性能。作为替代方案，近期采用硒气氛下的氟化钾后沉积处理（KF-PDT）来提高CIGSe薄膜基太阳能电池的效率。本工作研究了CdS缓冲层化学浴沉积过程中KF处理CIGSe的潜在硫化现象。通过无损且深度敏感的X射线发射光谱，我们探究了硒或硫气氛下KF-PDT处理的CIGSe与CdS之间的埋藏界面。当KF处理在硒气氛下进行时，未检测到吸收层/CdS界面存在CIGSe硫化现象；而当KF处理在硫气氛下进行时，则在CIGSe/CdS界面检测到CIGSe的部分硫化。通过X射线光电子能谱证实，CIGSe硫化发生在硫气氛下的KF-PDT处理过程中。我们还证明：当黄铜矿暴露于硫气氛时，碱金属会显著促进CIGSe表面硫化。