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24.4：采用光屏蔽金属设计的高性能顶栅自对准共面非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFTs）
摘要： 本文展示并比较了采用不同遮光金属(SM)层设计的TG-SA a-IGZO薄膜晶体管。通过测量其电学特性系统分析了遮光金属产生的影响，系统研究了器件不稳定性与不同遮光金属设计之间的关系。随后成功制备出采用TG-SA a-IGZO TFT背板的14英寸高性能OLED显示原型，显示出优异的量产前景。
关键词： 可靠性、遮光金属、顶栅自对准共面结构、a-IGZO薄膜晶体管
更新于2025-09-23 15:23:52
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热应力下IGZO薄膜晶体管的沟道长度依赖性性能退化
摘要： 本研究的重点是采用SiO2作为栅介质和背沟道钝化材料的热应力下IGZO薄膜晶体管的性能退化问题。观测到底栅(BG)和双栅(DG)结构晶体管的I-V特性随热应力发生左移和退化。实验结果表明，这种不稳定性直接或间接源于IGZO沟道区上方钝化氧化层中H2O的影响。在钝化氧化层退火后立即施加原子层沉积(ALD)氧化铝盖层可有效提升热稳定性。研究发现存在沟道长度依赖性——较长沟道的DG器件更易发生退化?；贖2O为该现象起源的假设已被提出，并通过专门设计的实验验证了所提机制的可行性。此外，研究还展示了具有增强热稳定性的DG器件。
关键词： 热稳定性、SiO2钝化、ALD氧化铝封盖、IGZO薄膜晶体管、沟道长度依赖性
更新于2025-09-23 15:21:01
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a-InGaZnO薄膜晶体管在直流偏置应力下的两步退化
摘要： 提出了一种统一解释，用于一致性地说明非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜晶体管（TFTs）在直流正偏压温度不稳定性（PBTI）应力下——无论有无不同漏极应力电压（Vds）——的两步退化过程。对于无应力Vds的PBTI应力，初始负阈值电压（Vth）偏移被认为由对应于H2O分子和本征缺陷的类施主缺陷态引起；而对于有应力Vds的PBTI应力，负偏移则被认为由对应于氧空位的类施主缺陷态引起。栅极偏压诱导的电子俘获机制导致了正Vth偏移。这些从负到正Vth偏移的转变源于类施主态产生与电子俘获之间的竞争。
关键词： PBTI、类施主态产生、两步退化、电子俘获、IGZO薄膜晶体管、H?O分子
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过将P(VDF-TrFE)/银纳米线薄膜与a-IGZO薄膜晶体管集成增强的柔性压电传感器
摘要： 柔性压力传感器是未来可卷曲触摸屏、医疗设备、电子皮肤等领域的关键组件。然而，具备小尺寸、高灵敏度且能检测高频动态力的大面积阵列式压力传感器，仍是其实际应用面临的主要挑战。本研究提出了一种新型柔性压电压力传感器系统，该系统结合了P(VDF-TrFE)/银纳米线薄膜与非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）。将银纳米线掺杂到P(VDF-TrFE)中，可在无需高压极化与压力拉伸工艺（这些工艺会损害TFT性能）的条件下提升P(VDF-TrFE)的压电性能。通过与a-IGZO TFT组合，该压力传感器能以有源矩阵形式排列成4×4阵列，具备动态力检测能力（响应值达1100mV/N），展现出优异的柔韧性、快速响应速度、高放大倍数及低能耗特性。
关键词： P(VDF-TrFE)/银纳米线、a-IGZO薄膜晶体管、柔性压力传感器、阵列制备
更新于2025-09-10 09:29:36
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微波退火对非晶IGZO薄膜晶体管可靠性特性的影响
摘要： 非晶氧化物半导体（AOSs）因其高迁移率、低温沉积、柔性、透光性和均匀性而备受关注。以a-IGZO薄膜为有源层的薄膜晶体管（TFTs）表现出更高的场效应迁移率（>10 cm2/V·S）、更大的I_on/I_off比（>10?）、更小的亚阈值摆幅以及更好的电应力稳定性。在不降低a-IGZO TFTs性能的前提下，采用LaAlO?/ZrO?作为栅电极和栅介质层。本研究利用微波退火能量转换选择性好、升温速率快的特点来提升器件可靠性，通过调节微波退火参数研究其对a-IGZO TFTs可靠性特性的影响。
关键词： 微波退火、拉伸指数模型、IGZO薄膜晶体管、正偏压应力
更新于2025-09-04 15:30:14